-
公开(公告)号：CN111052304B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201880057377.7
申请日：2018-09-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种说明性的方法(和装置)包括：蚀刻第一衬底(例如，半导体晶片)中的腔(202)；在第一衬底的第一表面上和腔中形成(204)第一金属层；以及在非导电结构(例如玻璃)上形成(206)第二金属层。方法还可以包括：去除(208)第二金属层的一部分以形成可变光阑以暴露非导电结构的一部分；在第一金属层和第二金属层之间形成(210)结合，从而将非导电结构附接到第一衬底，密封(212)非导电结构和第一衬底之间的界面，和在非导电结构的表面上图案化(214)天线。
-
公开(公告)号：CN111052303B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201880057373.9
申请日：2018-09-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种用于形成密封腔的方法包括将非导电结构结合(402)到第一衬底上以在第一衬底中形成非导电孔。该方法包括在非导电结构的与第一衬底相对的表面上，沉积(404)第一金属层。该方法还包括在第一金属层中图案化(406)第一可变光阑，在第一金属层的与非导电结构相对的表面上沉积(408)第一电介质层，以及在第一电介质层的与第一金属层相对的表面上图案化(410)天线。‑该方法还包括：在第一衬底中形成(412)空腔；在空腔的表面上沉积(414)第二金属层；在第二金属层中图案化(416)第二可变光阑；以及将第二衬底结合(418)到第一衬底的与非导电结构相对的表面上，从而密封该腔。
-
-
公开(公告)号：CN116974005A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310473579.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G02B6/06
Abstract: 本申请涉及用于光学切换的快速光纤对准技术。一种在具有一个或两个相位光调制器(PLM)的光纤切换器件中对准光学信号的方法(200)包括以第一初始设置来配置所述PLM的相位元件，以将光学信号从输入光纤引导到输出光纤。估计信号图像的中心距输出光纤的中心的初始位置位移(208)(218)。计算相位元件的校正的设置(210)(220)，使得当校正的设置被应用于相位元件时，光学信号的校正的信号图像具有比初始位置位移小的距输出光纤的中心的校正的位置位移。光纤切换器件具有被配置为执行对准光学信号的方法的步骤的处理电路和存储器部件。
-
公开(公告)号：CN115697891A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180033448.1
申请日：2021-05-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: B81B7/02 , H01L21/365 , H01L21/033
Abstract: 在所描述的示例中，一种微机电系统(MEMS)(100)位于衬底(102)上。硅氮化物(SiN)层(104、134)在衬底的一部分上。机械结构(120、132)具有嵌入SiN层中的第一端(125)和从SiN层悬挑出的第二端(124)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052388B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880056757.9
申请日：2018-09-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种方法包括在衬底上形成(202、204、206)氧化物层和金属层。例如，这些层可以包括夹在氧化硅层之间的金属层。然后将非导电结构比如玻璃结合(208)到氧化物层中的一个。然后可以将天线图案化(210)在非导电结构上，并且可以在衬底中形成(212)腔。另一金属层沉积(214)在腔的表面上，并且将圈图案化(216)在金属层中以暴露氧化物层中的一个。在第二衬底上形成(220)另一金属层，并将这两个衬底结合在一起，从而密封该腔。
-
公开(公告)号：CN116526090A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310079810.X
申请日：2023-01-29
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了用于波导结构的耦合接口和制造方法。在所描述的示例中，一种设备(100)包括第一衬底(112)，该第一衬底具有第一侧面(110)、第二侧面和跨越第一侧面的一部分的耦合接口(102)。耦合接口包括形成在第一衬底中的亚波长周期性结构108的布置。第二衬底(132)耦合到第一衬底的第二侧面的一部分，以形成与耦合接口对齐的密封腔体(104)。
-
公开(公告)号：CN111052304A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057377.7
申请日：2018-09-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种说明性的方法(和装置)包括：蚀刻第一衬底(例如，半导体晶片)中的腔(202)；在第一衬底的第一表面上和腔中形成(204)第一金属层；以及在非导电结构(例如玻璃)上形成(206)第二金属层。方法还可以包括：去除(208)第二金属层的一部分以形成可变光阑以暴露非导电结构的一部分；在第一金属层和第二金属层之间形成(210)结合，从而将非导电结构附接到第一衬底，密封(212)非导电结构和第一衬底之间的界面，和在非导电结构的表面上图案化(214)天线。
-
公开(公告)号：CN109470397A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811007607.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G01L9/00
Abstract: 本申请公开了基于腔的电磁信号输出的压力测量。一种压力传感器(100)，包括腔(102)、设置在腔(102)内的偶极分子(104)以及压力测量电路(112)。压力测量电路(112)经配置以测量偶极分子(104)的吸收峰的宽度，并且基于吸收峰的宽度确定腔(104)中的压力值。
-
公开(公告)号：CN110998854B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880050035.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 一种装置包括衬底(100)，该衬底包括谐振腔(125)。谐振腔(125)包括具有吸收频率的偶极分子。谐振腔(125)以等于偶极分子的吸收频率的频率谐振。该装置还包括谐振腔(125)上的第一端口(110)，该第一端口被配置成接收射频(RF)信号。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.025 seconds)
