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公开(公告)号：CN111052375A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055331.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/538
Abstract: 所描述的示例包括封装器件(100)，封装器件(100)包括彼此间隔开间隙(110)的第一物体(101)和第二物体(102)。每个物体具有第一表面(101a、102a)和相对的第二表面(101c、102c)。第一表面(101a、102a)包括第一端子(101b、102b)。结构(120)包括嵌入在电介质壳体(130)中的至少两个导体(121)，电介质壳体巩固至少两个导体(121)的构造和组织。至少两个导体(121)具有未被电介质壳体(130)嵌入的端部部分。至少两个导体(121)中的至少一个的端部部分电连接到第一物体(101)的第一端子(101b)，并且至少两个导体(121)中的至少一个的相对的端部部分电连接到第二物体(102)的相应的第一端子(102b)。至少两个导体(121)电连接第一物体(101)和第二物体(102)。
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公开(公告)号：CN114695320A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111631881.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： E·顿切尔
Abstract: 本申请公开了具有防爆屏蔽的半导体封装件。一种半导体封装件(300)包括：金属焊盘(114)和引线(116)；半导体管芯(130)，其包括附接到金属焊盘的半导体衬底(132)以及导体(140)，导体(140)包括半导体衬底上方的牺牲熔丝元件(142)，牺牲熔丝元件电耦合在引线中的一个引线与半导体管芯的至少一个端子(135、136)之间；减震材料(381)，其位于牺牲熔丝元件的轮廓之上；以及模塑料(118)，其覆盖半导体管芯、导体和减震材料，并且部分地覆盖金属焊盘和引线，其中金属焊盘和引线暴露在半导体封装件的外表面上。减震材料的玻璃化转变温度或减震材料的熔点低于导体的熔点。
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公开(公告)号：CN114446897A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111287226.0
申请日：2021-11-02
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： E·顿切尔
Abstract: 本申请公开了带有光学透明模塑料的光学传感器封装。一种光学传感器封装(200)包括IC管芯(110)，该IC管芯(110)包括光传感器元件(112)、输出节点(114)和包括联接到输出节点的接合焊盘的接合焊盘(119)。引线框架(220)包括多个引线或引线端子(223)，其中多个引线或引线端子中的至少一些联接到接合焊盘，包括到联接到输出节点的接合焊盘。模塑料(241)为光学传感器封装，包括为光传感器元件提供包封。模塑料包括聚合物基材料，该聚合物基材料具有包括红外或太赫兹透明颗粒组合物中的至少一种的填料颗粒，该填料颗粒以足够的浓度提供，使得模塑料是光学透明的，用于在红外频率范围和太赫兹频率范围中的至少一个的一部分中为500μm的最小模具厚度提供至少50％的光学透明度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052375B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201880055331.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/538
Abstract: 所描述的示例包括封装器件(100)，封装器件(100)包括彼此间隔开间隙(110)的第一物体(101)和第二物体(102)。每个物体具有第一表面(101a、102a)和相对的第二表面(101c、102c)。第一表面(101a、102a)包括第一端子(101b、102b)。结构(120)包括嵌入在电介质壳体(130)中的至少两个导体(121)，电介质壳体巩固至少两个导体(121)的构造和组织。至少两个导体(121)具有未被电介质壳体(130)嵌入的端部部分。至少两个导体(121)中的至少一个的端部部分电连接到第一物体(101)的第一端子(101b)，并且至少两个导体(121)中的至少一个的相对的端部部分电连接到第二物体(102)的相应的第一端子(102b)。至少两个导体(121)电连接第一物体(101)和第二物体(102)。
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公开(公告)号：CN116259471A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211583230.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： E·顿切尔
Abstract: 本申请公开了具有高相对介电常数层的集成高压电子器件。一种磁性组件(110)包括具有核心介电层(161)、介电堆叠层(162、163、164、165)、高介电常数介电层(181、182)以及第一和第二图案化导电特征(109、111)的多层级层压或金属化结构(112)，介电堆叠层(162、163、164、165)具有第一相对介电常数，高介电常数介电层(181、182)在第一图案化导电特征(109)和介电堆叠层(162)或核心介电层(161)中的一个之间延伸并与其接触，高介电常数介电层(181、182)具有第二相对介电常数，并且第二相对介电常数至少是第一相对介电常数的1.5倍，以减轻隔离产品中的介电击穿。
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公开(公告)号：CN116194764A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180063417.0
申请日：2021-09-13
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： E·顿切尔
IPC: G01N27/70
Abstract: 在所描述的示例中，一种装置(400)包括：至少一个电极(302)，其具有在衬底的第一表面上的基部并且远离基部延伸至端部；对置电极(425)，其与至少一个电极的端部间隔开并且具有面向端部的第一导电表面；以及具有腔体(322)的封装件(437)，该腔体(322)容纳至少一个电极、衬底和对置电极，该封装件具有配置为允许大气进入腔体的至少一个开口。
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公开(公告)号：CN116053257A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211292250.8
申请日：2022-10-20
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： E·顿切尔
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , H05K1/18
Abstract: 本申请题为“在介电开口中具有嵌入式间隔物的隔离温度传感器封装件”。一种电子器件包括衬底、介电间隔物、半导体管芯和封装结构。该衬底具有介电层、管芯焊盘、第一和第二引线、导电通孔和导电迹线，该介电层具有延伸到侧面中的开口，该管芯焊盘耦合到第一引线，第二引线耦合到导电通孔，并且导电迹线耦合到通孔。介电间隔物安装在开口中的管芯焊盘上方，并且半导体管芯安装在介电间隔物上方，半导体管芯包括温度传感器，并且电连接件将半导体管芯耦合到导电迹线。封装结构在介电层的侧面上、半导体管芯上和导电迹线上延伸，封装结构围绕介电间隔物延伸并延伸至开口中的管芯焊盘。
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公开(公告)号：CN115148708A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210322485.0
申请日：2022-03-30
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： E·顿切尔
Abstract: 本申请公开用于封装半导体装置的熔丝。在所描述的示例中，一种设备(图3，300)包括：封装衬底(204)，其具有被配置用于安装半导体管芯(203)的管芯焊盘(201)，以及与管芯焊盘(201)隔开的引线(110)；半导体管芯(203)，其安装在管芯焊盘上；熔丝(306)，其安装到引线(110)，该熔丝具有耦合在熔丝帽(311)和引线之间的熔丝元件(309)，该熔丝具有熔丝主体(307)，其具有围绕熔丝元件的开口，熔丝帽附接到熔丝主体；电连接件(208)，其将半导体管芯耦合到熔丝；和模制化合物(207)，其覆盖半导体管芯、熔丝、电连接件以及封装衬底的一部分，其中引线的一部分从模制化合物中暴露以形成端子。
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