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公开(公告)号：CN111295465B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201880071503.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN113518834A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080017710.9
申请日：2020-02-03
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/455 , C07F7/10
Abstract: 本文描述了用于形成含硅膜的前体和方法。在一个方面中，提供了如本文所述的式(I)的前体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111295465A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880071503.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN113748226A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080030622.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 使用至少一种具有以下式I的有机氨基二硅氮烷前体在高于500℃的温度下进行用于形成氧化硅的原子层沉积(ALD)工艺：其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C6至C10芳基，条件是R1和R2不能都是氢；R3选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C6至C10芳基；和R1和R2连接形成环状环结构或R1和R2不连接形成环状环结构。
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公开(公告)号：CN115992345A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211551636.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/36 , C23C16/50
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN114174555A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080053340.4
申请日：2020-07-24
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于碳化硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物和使用该组合物的方法。在一个方面，使用包含C‑C双键或C‑C三键的至少一种第一化合物的共沉积来沉积所述含硅膜。
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