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公开(公告)号：CN112585146B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980055159.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备含烯基或炔基的有机硅前体组合物的方法，该方法包括以下步骤：蒸馏包含具有式RnSiR14‑n的含烯基或炔基的有机硅化合物的组合物至少一次，其中R选自直链或支链的C2至C6烯基、直链或支链的C2至C6炔基；R1选自氢、直链或支链的C1‑C10烷基和C3‑C10环烷基；且n为选自1至4的数，其中在蒸馏后产生蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物；和将蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物包装在容器中，其中该容器允许不超过10％的波长在290纳米至450纳米之间的紫外和可见光透射到容器中。
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公开(公告)号：CN112292479A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980039035.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本发明描述了用于在具有表面特征的至少衬底的表面上形成含硅膜的组合物及其使用方法，所述含硅膜例如但不限于碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。一方面，使用包含碳碳双键或碳碳三键的化合物来沉积所述含硅膜。所采用的等离子体源包括组合操作的远程等离子体源和原位等离子体源。
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公开(公告)号：CN115992345A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211551636.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/36 , C23C16/50
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN112334597B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201980039882.3
申请日：2019-06-16
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本发明公开了含硅氧烷的组合物和方法。所公开的方法涉及一种在衬底上沉积介电膜的方法，该方法包括以下步骤：a)将衬底放置在反应室中；b)引入包含环状含硅化合物和氧化剂的工艺气体；和c)在使得环状含硅化合物和氧化剂反应以在衬底表面上形成可流动膜的条件下，将衬底暴露于工艺气体。所述方法可进一步包括将可流动膜转化成固体介电材料(例如氧化硅膜)。在某些实施方案中，膜的转化可通过热、等离子体退火对如此沉积的膜进行退火和UV固化来实现。
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公开(公告)号：CN119213168A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380041061.X
申请日：2023-04-12
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C07F5/00
Abstract: 一种具有式I的结构的含硼前体：B(NR1R2)nX3‑n(I)，其中R1选自直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、直链或支链C3至C10烯基、直链或支链C3至C10炔基、C1至C6二烷基氨基、吸电子基团和C4至C10芳基；R2选自氢、直链C1至C10烷基、支链C3至C10烷基、直链或支链C3至C6烯基、直链或支链C3至C6炔基、C1至C6二烷基氨基、C6至C10芳基、直链或支链C1至C6氟化烷基、吸电子基团和C4至C10芳基；X是Cl、Br、I或F；和n＝1或2，其中R1和R2任选地连接在一起以形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环，并且其中R1和R2可以是相同的部分或不同的部分。还公开了沉积方法。
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公开(公告)号：CN117561349A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280045334.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40
Abstract: 一种用于制备具有改进的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物引入反应室中；并向反应室中的包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有～2.70至～3.50的介电常数、～6至～32GPa的弹性模量和通过XPS测量的～10至～35原子％的碳。
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公开(公告)号：CN111295465B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201880071503.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN112585146A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980055159.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备含烯基或炔基的有机硅前体组合物的方法，该方法包括以下步骤：蒸馏包含具有式RnSiR14‑n的含烯基或炔基的有机硅化合物的组合物至少一次，其中R选自直链或支链的C2至C6烯基、直链或支链的C2至C6炔基；R1选自氢、直链或支链的C1‑C10烷基和C3‑C10环烷基；且n为选自1至4的数，其中在蒸馏后产生蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物；和将蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物包装在容器中，其中该容器允许不超过10％的波长在290纳米至450纳米之间的紫外和可见光透射到容器中。
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公开(公告)号：CN112334597A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980039882.3
申请日：2019-06-16
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本发明公开了含硅氧烷的组合物和方法。所公开的方法涉及一种在衬底上沉积介电膜的方法，该方法包括以下步骤：a)将衬底放置在反应室中；b)引入包含环状含硅化合物和氧化剂的工艺气体；和c)在使得环状含硅化合物和氧化剂反应以在衬底表面上形成可流动膜的条件下，将衬底暴露于工艺气体。所述方法可进一步包括将可流动膜转化成固体介电材料(例如氧化硅膜)。在某些实施方案中，膜的转化可通过热、等离子体退火对如此沉积的膜进行退火和UV固化来实现。
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公开(公告)号：CN111295465A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880071503.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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