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公开(公告)号：CN112585146B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980055159.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备含烯基或炔基的有机硅前体组合物的方法，该方法包括以下步骤：蒸馏包含具有式RnSiR14‑n的含烯基或炔基的有机硅化合物的组合物至少一次，其中R选自直链或支链的C2至C6烯基、直链或支链的C2至C6炔基；R1选自氢、直链或支链的C1‑C10烷基和C3‑C10环烷基；且n为选自1至4的数，其中在蒸馏后产生蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物；和将蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物包装在容器中，其中该容器允许不超过10％的波长在290纳米至450纳米之间的紫外和可见光透射到容器中。
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公开(公告)号：CN112292479A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980039035.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本发明描述了用于在具有表面特征的至少衬底的表面上形成含硅膜的组合物及其使用方法，所述含硅膜例如但不限于碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。一方面，使用包含碳碳双键或碳碳三键的化合物来沉积所述含硅膜。所采用的等离子体源包括组合操作的远程等离子体源和原位等离子体源。
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公开(公告)号：CN105845549B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201610061517.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 本文描述了包含多个含硅层的装置，其中该含硅层选自氧化硅和氮化硅层或薄膜。本文还描述了形成例如待用作3D垂直NAND闪存堆叠的装置的方法。在所述装置的一个具体的方面中，氧化硅层具有轻微压缩应力和良好的热稳定性。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层具有轻微拉伸应力和在最高达约800℃的热处理后小于300MPa的应力变化。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层在热H3PO4中的蚀刻比氧化硅层快得多，表明良好的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN104271797B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380024294.5
申请日：2013-03-08
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/02565 , H01L29/247 , H01L29/6675
Abstract: 本文中描述的是包含一个或多个含硅层和金属氧化物层的装置。本文中还描述了形成一个或多个含硅层以用作，例如，显示器装置中的钝化层的方法。在一个具体的方面，所述装置包含透明金属氧化物层、氧化硅层和氮化硅层。在这个或其他方面，所述装置在350℃或更低的温度下沉积。本文中描述的含硅层包括一种或多种以下性质：密度约1.9g/cm3或更高；氢含量约4x1022cm‑3或更低，通过紫外‑可见光分光光度计测量的在400‑700nm下的透光度为约90％或更高。
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公开(公告)号：CN115992345A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211551636.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/36 , C23C16/50
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN112334597B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201980039882.3
申请日：2019-06-16
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本发明公开了含硅氧烷的组合物和方法。所公开的方法涉及一种在衬底上沉积介电膜的方法，该方法包括以下步骤：a)将衬底放置在反应室中；b)引入包含环状含硅化合物和氧化剂的工艺气体；和c)在使得环状含硅化合物和氧化剂反应以在衬底表面上形成可流动膜的条件下，将衬底暴露于工艺气体。所述方法可进一步包括将可流动膜转化成固体介电材料(例如氧化硅膜)。在某些实施方案中，膜的转化可通过热、等离子体退火对如此沉积的膜进行退火和UV固化来实现。
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公开(公告)号：CN105177524B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201510335186.0
申请日：2015-06-16
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C07F7/18
Abstract: 提供了用于经由化学气相沉积生产多孔低k介电薄膜的方法和组合物。在一个方面，所述方法包括步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室，其中所述气体试剂包含至少一种包含烷基‑烷氧基硅杂环化合物的结构形成前体和致孔剂；向所述反应室中的所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应以在所述衬底上沉积初步薄膜，其中所述初步薄膜包含所述致孔剂；和沉积所述初步薄膜；和从所述初步薄膜去除至少一部分包含于其中的所述致孔剂以提供具有孔和介电常数为约2.7或更低的所述薄膜。在某些实施方式中，所述结构形成前体还包含硬化添加剂。
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公开(公告)号：CN105401131B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510702639.9
申请日：2015-08-14
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本发明涉及通过在多孔、低介电常数(“低k”)层的至少一个表面上提供附加薄介电薄膜(本文中称孔隙密封层)用于密封所述多孔低k层的孔隙而防止底层的介电常数的进一步损失的方法及其组合物。在一个方面，该方法包括：将多孔低介电常数薄膜接触至少一种有机硅化合物以提供吸收的有机硅化合物和采用紫外线、等离子体或两者处理该吸收的有机硅化合物，并重复进行直至形成所需厚度的孔隙密封层。
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公开(公告)号：CN111295465B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201880071503.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN112585146A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980055159.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备含烯基或炔基的有机硅前体组合物的方法，该方法包括以下步骤：蒸馏包含具有式RnSiR14‑n的含烯基或炔基的有机硅化合物的组合物至少一次，其中R选自直链或支链的C2至C6烯基、直链或支链的C2至C6炔基；R1选自氢、直链或支链的C1‑C10烷基和C3‑C10环烷基；且n为选自1至4的数，其中在蒸馏后产生蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物；和将蒸馏的含烯基或炔基的有机硅前体组合物包装在容器中，其中该容器允许不超过10％的波长在290纳米至450纳米之间的紫外和可见光透射到容器中。
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