公开(公告)号：CN118086873A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410379141.2

申请日：2019-10-04

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 王美良 ,  雷新建

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了一种用于在600℃或更高的一个或多个温度下在原子层沉积工艺中沉积氧化硅膜的方法和组合物。在一个方面，提供了一种在约600℃至1000℃的一个或多个温度下在反应器中的衬底上沉积氧化硅膜或材料的方法，包括以下步骤：向反应器中引入至少一种选自具有本文所述式I和式II的化合物的卤代碳硅烷前体；用吹扫气体吹扫反应器；将含氧源引入反应器中；和用吹扫气体吹扫反应器；并且其中重复这些步骤直至沉积所需厚度的氧化硅。

公开(公告)号：CN110357920B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201910290443.1

申请日：2019-04-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： M·R·麦克唐纳 ,  雷新建 ,  萧满超 ,  王美良

IPC: C07F7/21 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本文公开了有机氨基官能化环状低聚硅氧烷，其具有至少两个硅和两个氧原子以及有机氨基，且公开了用于制备所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN115584491A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211350727.3

申请日：2018-02-06

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 雷新建 ,  萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  D·P·思朋斯 ,  王美良 ,  S·K·拉贾拉曼

IPC: C23C16/455 ,  C07F7/10 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN110462097B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201880021253.3

申请日：2018-02-06

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 雷新建 ,  萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  D·P·思朋斯 ,  王美良 ,  S·K·拉贾拉曼

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C07F7/10 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN108395450A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810128979.9

申请日：2018-02-08

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  雷新建 ,  王美良

IPC: C07F7/21 ,  C07F7/10 ,  C07F7/02 ,  C23C16/40

CPC classification number: C08G77/26 ,  C08G77/06 ,  C08G2390/40 ,  C23C16/45527

Abstract: 本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN112969817B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201980073823.8

申请日：2019-10-04

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 王美良 ,  雷新建

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了一种用于在600℃或更高的一个或多个温度下在原子层沉积工艺中沉积氧化硅膜的方法和组合物。在一个方面，提供了一种在约600℃至1000℃的一个或多个温度下在反应器中的衬底上沉积氧化硅膜或材料的方法，包括以下步骤：向反应器中引入至少一种选自具有本文所述式I和式II的化合物的卤代碳硅烷前体；用吹扫气体吹扫反应器；将含氧源引入反应器中；和用吹扫气体吹扫反应器；并且其中重复这些步骤直至沉积所需厚度的氧化硅。

公开(公告)号：CN114365265A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202080063028.3

申请日：2020-09-04

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 王美良 ,  王廷敏 ,  雷新建

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 一种用于将非保形的含硅和氧的膜沉积到一个或多个衬底上的包括通孔和/或沟槽的表面特征中的原子层沉积方法。

公开(公告)号：CN114318299A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111618166.6

申请日：2018-02-08

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  雷新建 ,  王美良

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C07F7/21 ,  C07F7/18 ,  C07F7/10 ,  B65D81/20

Abstract: 本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN110357920A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910290443.1

申请日：2019-04-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： M·R·麦克唐纳 ,  雷新建 ,  萧满超 ,  王美良

IPC: C07F7/21 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本文公开了有机氨基官能化环状低聚硅氧烷，其具有至少两个硅和两个氧原子以及有机氨基，且公开了用于制备所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN114318291B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202111612772.7

申请日：2018-02-08

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  雷新建 ,  王美良

IPC: C07F7/02

Abstract: 本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。