-
公开(公告)号：CN102593345B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201110395081.6
申请日：2011-12-02
Applicant: 延世大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/047 , H01L41/45
CPC classification number: H01L41/0474 , H01L41/0478 , H01L41/0833 , H01L41/193 , H01L41/27
Abstract: 提供多层电活性聚合物(EAP)器件及其制造方法。所述多层EAP器件包括多个单元层。各单元层包括由电活性聚合物(EAP)形成的EAP层、配置以防止材料渗透到所述EAP层中的保护层、和使用导电材料形成的活性电极。所述保护层可在所述活性电极下面或在所述活性电极上面形成。所述活性电极可插入在两个保护层之间。
-
公开(公告)号：CN102593345A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110395081.6
申请日：2011-12-02
Applicant: 延世大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/047 , H01L41/26
CPC classification number: H01L41/0474 , H01L41/0478 , H01L41/0833 , H01L41/193 , H01L41/27
Abstract: 提供多层电活性聚合物(EAP)器件及其制造方法。所述多层EAP器件包括多个单元层。各单元层包括由电活性聚合物(EAP)形成的EAP层、配置以防止材料渗透到所述EAP层中的保护层、和使用导电材料形成的活性电极。所述保护层可在所述活性电极下面或在所述活性电极上面形成。所述活性电极可插入在两个保护层之间。
-
公开(公告)号：CN114078999A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202011368998.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 延世大学校产学协力团
IPC: H01L41/18 , H01L33/34 , C09K11/02 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08L27/22 , C08J5/18
Abstract: 本发明的一种压电性和发光性同步化的材料，包括包含发光颗粒的核心(core)层及附着于所述核心层的表面并且包含具有压电特性的配体的外部(shell)层，进而利用化学性结合压电性配体和发光颗粒的单一SPL材料可同时实现压电性和发光性。
-
公开(公告)号：CN118693116A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410310861.3
申请日：2024-03-19
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体基底；二维材料层，位于半导体基底的上表面上，并且包括过渡金属二硫属化物；顶部吸收件，位于二维材料层的上表面上，并且包括石墨烯；以及多个等离体子纳米颗粒，位于顶部吸收件的上表面上，其中，半导体基底包括掺杂有p型杂质的硅，二维材料层具有n型导电性，二维材料层和半导体基底形成pn二极管。
-
公开(公告)号：CN118610219A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410226335.9
申请日：2024-02-29
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，包括顶表面和底表面；二维(2D)材料层，在半导体基底的顶表面上，并且包括二硫化钼(MoS2)；以及顶部吸收件，在2D材料层的顶表面上，并且包括石墨烯，其中，半导体基底包括掺杂有p型杂质的硅，2D材料层具有n型导电性，并且半导体基底和2D材料层被构造为形成p‑n二极管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101159171B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200710092110.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
-
公开(公告)号：CN1770456A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510092119.7
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22
Abstract: 提供了一种具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法。所述电阻式存储装置包括：存储部分，其具有依次形成在第一衬底上的底电极和铁电层；探针部分，其具有设置在第二衬底上的电阻式探针的阵列，所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层使得所述电阻式探针能够在所述铁电层上写和读数据；以及粘合层，其将所述电阻式探针抓住并固定在所述铁电层上或所述铁电层上方。该电阻式存储装置的制造方法包括：在第一衬底上依次形成底电极和铁电层；在第二衬底上形成用于写和读数据的电阻式探针的阵列；以及使用粘合层将所述第一衬底晶片级结合到所述第二衬底上使得所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层的表面。
-
公开(公告)号：CN1747071B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200510092417.6
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 本发明提供了一种具有电阻尖端的半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。
-
公开(公告)号：CN1767025B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200510102838.2
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。
-
公开(公告)号：CN101183566B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710186767.8
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , H01C13/00 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明提供一种具有电阻性尖端的半导体探针以及所述半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：电阻性尖端，其掺有第一杂质，且其顶部掺有低浓度的第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反，其中在所述电阻性尖端的斜面上形成掺有高浓度第二杂质的第一和第二半导体电极区；形成于所述电阻性尖端上的电介质层；电场屏蔽件，其形成于所述电介质层上，且连同所述电介质层一起在所述电阻性尖端的顶部上形成平面；以及具有末端的悬臂，所述电阻性尖端位于所述末端上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.038 seconds)
