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公开(公告)号：CN100553847C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200580017518.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·R·瑞斯 , 克拉斯·H·比约克曼 , 赵军 , 肯尼思·S·柯林斯 , 托马斯·缪
CPC classification number: H05K3/3478 , H01L21/4853 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L2224/05573 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K2201/10212 , H05K2203/0338 , H05K2203/041 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 在本发明的第一方面，提供了一种可编程转移装置，用于将导电零件转移至目标衬底的电极垫。该可编程转移装置包括：(1)转移衬底；以及(2)形成在所述转移衬底上的多个独立的可寻址电极。每个电极均适于在向目标衬底的电极垫转移所述导电零件期间选择性地吸引并保持所述导电零件。还提供了其他数个方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100400707C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN03814617.7
申请日：2003-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 , 赵军 , 蒂莫西·韦德曼 , 里克·J·罗伯茨 , 夏立群 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 文·H·朱 , 黄楚范 , 李丽华 , 埃利·Y·易 , 郑毅 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里克·霍拉 , 亦康苏 , 源松文 , 莱斯特·A·德克鲁埃 , 特洛伊·金 , 戴安·苏吉阿托 , 彼得·韦曼·李 , 希沙姆·穆萨德 , 梅利沙·M·塔姆
IPC: C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/60 , B05D3/068 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02351 , H01L21/31058 , H01L21/3122 , H01L21/3125
Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。
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公开(公告)号：CN1875452B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200480031666.8
申请日：2004-10-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 哈里·K·波奈卡恩提 , 赵军 , 海伦·R·阿默
IPC: H01J37/077
CPC classification number: H01J37/317 , H01J3/025 , H01J37/077
Abstract: 本发明的一个实施例是电子束处理设备，其包括：(a)室；(b)具有暴露到室的内部的相对较大面积表面的阴极(122)；(c)其中具有孔的阳极(126)，其暴露在室的内部并与阴极间隔工作距离；(d)布置在室内部面对阳极的晶片保持器(130)；(e)负电压源(129)，其输出施加到阴极以提供阴极电压；(f)电压源(131)，其输出施加到阳极；(g)适合于允许气体以气体引入速率进入室的气体入口(129)；和(h)适合于以排出速率从室排出气体的泵(135)，所述引入速率和所述排出速率在室中提供气体压力；其中阴极电压、气体压力和工作距离的值设置为使得阴极和阳极之间没有电弧并且工作距离大于电子平均自由路径。
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公开(公告)号：CN1960830A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017518.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·R·瑞斯 , 克拉斯·H·比约克曼 , 赵军 , 肯尼思·S·柯林斯 , 托马斯·缪
CPC classification number: H05K3/3478 , H01L21/4853 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L2224/05573 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K2201/10212 , H05K2203/0338 , H05K2203/041 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 在本发明的第一方面，提供了一种可编程转移装置，用于将导电零件转移至目标衬底的电极垫。该可编程转移装置包括：(1)转移衬底；以及(2)形成在所述转移衬底上的多个独立的可寻址电极。每个电极均适于在向目标衬底的电极垫转移所述导电零件期间选择性地吸引并保持所述导电零件。还提供了其他数个方面。
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公开(公告)号：CN1875452A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031666.8
申请日：2004-10-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 哈里·K·波奈卡恩提 , 赵军 , 海伦·R·阿默
IPC: H01J37/077
CPC classification number: H01J37/317 , H01J3/025 , H01J37/077
Abstract: 本发明的一个实施例是电子束处理设备，其包括：(a)室；(b)具有暴露到室的内部的相对较大面积表面的阴极(122)；(c)其中具有孔的阳极(126)，其暴露在室的内部并与阴极间隔工作距离；(d)布置在室内部面对阳极的晶片保持器(130)；(e)负电压源(129)，其输出施加到阴极以提供阴极电压；(f)电压源(131)，其输出施加到阳极；(g)适合于允许气体以气体引入速率进入室的气体入口(129)；和(h)适合于以排出速率从室排出气体的泵(135)，所述引入速率和所述排出速率在室中提供气体压力；其中阴极电压、气体压力和工作距离的值设置为使得阴极和阳极之间没有电弧并且工作距离大于电子平均自由路径。
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公开(公告)号：CN1662676A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814617.7
申请日：2003-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 , 赵军 , 蒂莫西·韦德曼 , 里克·J·罗伯茨 , 夏立群 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 文·H·朱 , 黄楚范 , 李丽华 , 埃利·Y·易 , 郑毅 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里克·霍拉 , 亦康苏 , 源松文 , 莱斯特·A·德克鲁埃 , 特洛伊·金 , 戴安·苏吉阿托 , 彼得·韦曼·李 , 希沙姆·穆萨德 , 梅利沙·M·塔姆
IPC: C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/60 , B05D3/068 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02351 , H01L21/31058 , H01L21/3122 , H01L21/3125
Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。
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