公开(公告)号：CN1662676A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814617.7

申请日：2003-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 ,  赵军 ,  蒂莫西·韦德曼 ,  里克·J·罗伯茨 ,  夏立群 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  文·H·朱 ,  黄楚范 ,  李丽华 ,  埃利·Y·易 ,  郑毅 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  埃里克·霍拉 ,  亦康苏 ,  源松文 ,  莱斯特·A·德克鲁埃 ,  特洛伊·金 ,  戴安·苏吉阿托 ,  彼得·韦曼·李 ,  希沙姆·穆萨德 ,  梅利沙·M·塔姆

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125

Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。

公开(公告)号：CN100400707C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN03814617.7

申请日：2003-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 ,  赵军 ,  蒂莫西·韦德曼 ,  里克·J·罗伯茨 ,  夏立群 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  文·H·朱 ,  黄楚范 ,  李丽华 ,  埃利·Y·易 ,  郑毅 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  埃里克·霍拉 ,  亦康苏 ,  源松文 ,  莱斯特·A·德克鲁埃 ,  特洛伊·金 ,  戴安·苏吉阿托 ,  彼得·韦曼·李 ,  希沙姆·穆萨德 ,  梅利沙·M·塔姆

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125

Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。

公开(公告)号：CN101142656A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200580048568.X

申请日：2005-12-21

Applicant: 应用材料公司 ,  测度有限公司

Inventor： 石川徹夜 ,  里克·J·罗伯茨 ,  海伦·R·阿默 ,  利昂·沃弗斯盖 ,  杰伊·D·皮森 ,  迈克尔·瑞斯 ,  大卫·H·喀什 ,  莫森·S·萨利克 ,  罗伯特·劳伦斯 ,  约翰·A·贝克尔 ,  威廉·泰勒·威维尔 ,  查尔斯·卡尔森 ,  重阳·王 ,  杰弗里·哈德更斯 ,  哈拉德·赫亨 ,  布赖恩·鲁

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03B27/32 ,  G03D13/006 ,  G03F7/40 ,  G05B19/41825 ,  G05B2219/40476 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/49137 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707 ,  H01L22/26 ,  Y02P90/087 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136 ,  Y10T29/53187 ,  Y10T29/5323

Abstract: 本发明的实施例大体上提供了使用多室处理系统(例如组合工具)处理衬底的装置和方法，所述多室处理系统具有更大吞吐量、更高可靠性，组合工具中处理过的衬底具有更具重复性的晶片历史，还具有较小的系统占地。在组合工具的一种实施例中，通过将衬底分组到一起并将衬底以两个或更多个为一组进行传送和处理以提高系统吞吐量，降低了拥有成本，并减少了机械手将一批衬底在处理室之间进行传送所需的运动次数，从而减小了机械手的磨损并提高了系统可靠性。这些实施例还提供了用于提高衬底传送处理的可靠性以减少系统不可用时间的方法和装置。