公开(公告)号：CN103915337A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310653209.3

申请日：2013-12-05

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 小谷义之 ,  秋山深一

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成电子渡越层；在所述电子渡越层上形成电子供应层；在所述电子供应层上形成盖层；在所述盖层上形成保护层，所述保护层包括开口部，通过所述开口部暴露一部分所述盖层；以及利用湿法工艺在所述盖层的暴露面上形成氧化膜。本发明提供的半导体器件及其制造方法能够抑制半导体器件的Id-Vg特性中的迟滞。

公开(公告)号：CN103227198A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310031909.9

申请日：2013-01-28

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 秋山深一 ,  细田勉 ,  宫本真人

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本申请公开一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施例包括：电子渡越层；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；二维电子气抑制层，形成在电子供应层的上方；绝缘膜，形成在二维电子气抑制层和电子渡越层的上方；以及栅极电极，形成在绝缘膜的上方。栅极电极与二维电子气抑制层电连接。本申请能够以高阈值电压实现常关操作。

公开(公告)号：CN102237405A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110122187.9

申请日：2011-05-06

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 秋山深一 ,  温井健司 ,  加藤睦 ,  渡边芳孝 ,  伊藤哲也 ,  藤泽洋一 ,  佐藤俊哉 ,  细田勉 ,  佐藤勇一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 复合半导体器件，其包括：基板；形成在基板上的复合半导体层；形成在复合半导体层上的第一绝缘膜；形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及各自形成在复合半导体层上的栅极、源极和漏极，其中栅极由经由至少栅绝缘层填充有第一导电材料的第一开口形成，且第一开口形成在第一绝缘膜中且被配置，使部分地露出复合半导体层，并且其中源极和漏极由填充有至少第二导电材料的一对第二开口形成，且第二开口形成在至少第二绝缘膜和第一绝缘膜中并被配置，使部分地露出复合半导体层。