公开(公告)号：CN103715252A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310445627.3

申请日：2013-09-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 美浓浦优一 ,  渡边芳孝

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/314 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/28 ,  H02M3/33576 ,  H02M7/04 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体分层结构；形成在化合物半导体分层结构之上的栅电极；覆盖化合物半导体分层结构的表面并且由氮化硅作为材料制成的第一保护绝缘膜；在第一保护绝缘膜上覆盖栅电极并且由氧化硅作为材料制成的第二保护绝缘膜；以及包含氮氧化硅并且形成在第一保护绝缘膜和第二保护绝缘膜之间的第三保护绝缘膜。

公开(公告)号：CN103715251A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310438756.X

申请日：2013-09-24

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 西森理人 ,  渡边芳孝

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335 ,  H02M7/003 ,  Y02B70/1483 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN/GaN HEMT，其包括：化合物半导体层叠结构；以及覆盖化合物半导体层叠结构的表面的层间绝缘膜，层间绝缘膜包括第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上以填充第一绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN102237405A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110122187.9

申请日：2011-05-06

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 秋山深一 ,  温井健司 ,  加藤睦 ,  渡边芳孝 ,  伊藤哲也 ,  藤泽洋一 ,  佐藤俊哉 ,  细田勉 ,  佐藤勇一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 复合半导体器件，其包括：基板；形成在基板上的复合半导体层；形成在复合半导体层上的第一绝缘膜；形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及各自形成在复合半导体层上的栅极、源极和漏极，其中栅极由经由至少栅绝缘层填充有第一导电材料的第一开口形成，且第一开口形成在第一绝缘膜中且被配置，使部分地露出复合半导体层，并且其中源极和漏极由填充有至少第二导电材料的一对第二开口形成，且第二开口形成在至少第二绝缘膜和第一绝缘膜中并被配置，使部分地露出复合半导体层。