公开(公告)号：CN1193422C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01143719.7

申请日：2001-12-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 格伦·福克斯 ,  储钒 ,  布莱恩·伊斯泰普 ,  高松知广 ,  堀井义正 ,  中村亘

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  Y10S438/957

Abstract: 一种集成电路的铁电电容器元件的制造方法，包括以下步骤：淀积导电的底部电极层；淀积铁电电介质材料层；在525-600℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第一次退火以形成钙钛矿相，该第一次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的10%；淀积导电的顶部电极层；以及在700-750℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第二次退火，把铁电电介质材料层变成具有柱状结构的晶粒，该第二次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的5%，且该第二次退火在淀积导电的顶部电极层的步骤之后进行。

公开(公告)号：CN1371124A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01143719.7

申请日：2001-12-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 格伦·福克斯 ,  储钒 ,  布莱恩·伊斯泰普 ,  高松知广 ,  堀井义正 ,  中村亘

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  Y10S438/957

Abstract: 一种集成电路的铁电电容器元件的制造工艺,其中包括下列步骤:淀积导电的底部电极层,此底部电极层优选由贵金属制成;用铁电电介质材料层覆盖底部电极层;在淀积包含贵金属氧化物的第二电极层之前,对铁电电介质进行第一次退火;在淀积导电的顶部电极层之后,对铁电电介质材料层进行退火,并对顶部电极层进行第二次退火。第一次和第二次退火是快速热退火。

公开(公告)号：CN1957424A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200480043138.4

申请日：2004-06-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 彦坂幸信 ,  高松知广 ,  小畑义则

IPC: G11C29/00 ,  G11C11/22 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002

Abstract: 一种半导体存储装置的检查方法，对于具有使用了铁电电容器的非易失存储器的半导体存储装置的铁电电容器，在以第一极化状态放置了之后，包括：(a)写入与上述第一极化状态相反的第二极化状态的工序；(b)对上述第二极化状态进行放置的工序；(c)读取上述第二极化状态的工序，上述工序(a)的温度或电压比工序(c)的温度或电压低。提供一种能够在短时间内对印迹特性进行评价的半导体存储装置的检查方法。

公开(公告)号：CN101261988A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810090099.3

申请日：2003-09-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高松知广 ,  三浦寿良 ,  中村光宏 ,  立花宏俊 ,  小室玄一

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25)形成在层间绝缘膜(18)上。

公开(公告)号：CN100390999C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03826593.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高松知广 ,  三浦寿良 ,  中村光宏 ,  立花宏俊 ,  小室玄一

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25)形成在层间绝缘膜(18)上。

公开(公告)号：CN1788350A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN03826593.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高松知广 ,  三浦寿良 ,  中村光宏 ,  立花宏俊 ,  小室玄一

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25)形成在层间绝缘膜(18)上。