公开(公告)号：CN1193422C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01143719.7

申请日：2001-12-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 格伦·福克斯 ,  储钒 ,  布莱恩·伊斯泰普 ,  高松知广 ,  堀井义正 ,  中村亘

IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  Y10S438/957

Abstract: 一种集成电路的铁电电容器元件的制造方法，包括以下步骤：淀积导电的底部电极层；淀积铁电电介质材料层；在525-600℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第一次退火以形成钙钛矿相，该第一次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的10%；淀积导电的顶部电极层；以及在700-750℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第二次退火，把铁电电介质材料层变成具有柱状结构的晶粒，该第二次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的5%，且该第二次退火在淀积导电的顶部电极层的步骤之后进行。

公开(公告)号：CN1371124A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01143719.7

申请日：2001-12-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 格伦·福克斯 ,  储钒 ,  布莱恩·伊斯泰普 ,  高松知广 ,  堀井义正 ,  中村亘

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  Y10S438/957

Abstract: 一种集成电路的铁电电容器元件的制造工艺,其中包括下列步骤:淀积导电的底部电极层,此底部电极层优选由贵金属制成;用铁电电介质材料层覆盖底部电极层;在淀积包含贵金属氧化物的第二电极层之前,对铁电电介质进行第一次退火;在淀积导电的顶部电极层之后,对铁电电介质材料层进行退火,并对顶部电极层进行第二次退火。第一次和第二次退火是快速热退火。