公开(公告)号：CN101261988A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810090099.3

申请日：2003-09-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高松知广 ,  三浦寿良 ,  中村光宏 ,  立花宏俊 ,  小室玄一

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25)形成在层间绝缘膜(18)上。

公开(公告)号：CN100390999C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03826593.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高松知广 ,  三浦寿良 ,  中村光宏 ,  立花宏俊 ,  小室玄一

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25)形成在层间绝缘膜(18)上。

公开(公告)号：CN1953184A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610009208.5

申请日：2006-02-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 三浦寿良

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：硅衬底；第绝缘膜，形成于硅衬底上；第一导电塞，形成于第一绝缘膜的第一接触孔内部；具有平坦表面的底层导电膜，形成于第一导电塞上及其周围；结晶导电膜，形成于底层导电膜上；以及电容器，通过在该结晶导电膜上依次叠置下电极、由铁电材料制成的介电膜和上电极而形成。

公开(公告)号：CN1788350A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN03826593.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高松知广 ,  三浦寿良 ,  中村光宏 ,  立花宏俊 ,  小室玄一

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25)形成在层间绝缘膜(18)上。