公开(公告)号：CN1905194A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610006188.6

申请日：2006-01-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 伊藤昭男 ,  佐次田直也

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/544 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其能够提高其中导电塞位于电容器正下方的孔的形成精度，并且该方法包括如下步骤：在第一绝缘膜(11)中的第一和第二孔(11a，11b)内形成第一和第二导电塞(32a、32b)；在防氧化绝缘膜(14)内形成第一开口(14a)；在第一开口(14a)中形成辅助导电塞(36a)；在辅助导电塞(36a)上形成电容器(Q)；在覆盖电容器(Q)的第二绝缘膜(41)中形成第三和第四孔(41a、41b)；在第四孔(41b)下面的防氧化绝缘膜(14)中形成第二开口(14b)；在第三孔(41a)中形成第三导电塞(47a)；以及在第三孔(41a)中形成第四导电塞(47b)。

公开(公告)号：CN1431713A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02141582.X

申请日：2002-09-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 彦坂幸信 ,  伊藤昭男 ,  高井一章 ,  齐藤丈靖

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11509 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 一种半导体器件，其中包括：构成形成于半导体基片中的晶体管的第一和第二杂质扩散区；形成在该半导体基片上的第一绝缘膜；形成在第一杂质扩散区之上的第二绝缘膜中的第一孔；形成在第一孔中并且由金属膜所制成第一导电插塞；形成在第二杂质扩散区之上的第一绝缘膜中的第二孔；第二导电插塞，其形成在第一孔中并且由与金属膜不同的难以氧化的导电材料所制成；以及电容器，其包括连接到第二导电插塞的上表面的下电极、由铁电材料和高电介质材料所形成的绝缘膜以及上电极。

公开(公告)号：CN100442520C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200610006188.6

申请日：2006-01-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 伊藤昭男 ,  佐次田直也

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其能够提高其中导电塞位于电容器正下方的孔的形成精度，并且该方法包括如下步骤：在第一绝缘膜(11)中的第一和第二孔(11a，11b)内形成第一和第二导电塞(32a、32b)；在防氧化绝缘膜(14)内形成第一开口(14a)；在第一开口(14a)中形成辅助导电塞(36a)；在辅助导电塞(36a)上形成电容器(Q)；在覆盖电容器(Q)的第二绝缘膜(41)中形成第三和第四孔(41a、41b)；在第四孔(41b)下面的防氧化绝缘膜(14)中形成第二开口(14b)；在第三孔(41a)中形成第三导电塞(47a)；以及在第三孔(41a)中形成第四导电塞(47b)。

公开(公告)号：CN1240133C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN02141582.X

申请日：2002-09-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 彦坂幸信 ,  伊藤昭男 ,  高井一章 ,  齐藤丈靖

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11509 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 一种半导体器件，其中包括：构成形成于半导体基片中的晶体管的第一和第二杂质扩散区；形成在该半导体基片上的第一绝缘膜；形成在第一杂质扩散区之上的第二绝缘膜中的第一孔；形成在第一孔中并且由金属膜所制成第一导电插塞；形成在第二杂质扩散区之上的第一绝缘膜中的第二孔；第二导电插塞，其形成在第一孔中并且由与金属膜不同的难以氧化的导电材料所制成；以及电容器，其包括连接到第二导电插塞的上表面的下电极、由铁电材料和高电介质材料所形成的绝缘膜以及上电极。