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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1283008C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN03107255.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/0805 , H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1240133C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02141582.X
申请日：2002-09-03
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11509 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L27/105 , H01L27/11507 , H01L28/40
Abstract: 一种半导体器件，其中包括：构成形成于半导体基片中的晶体管的第一和第二杂质扩散区；形成在该半导体基片上的第一绝缘膜；形成在第一杂质扩散区之上的第二绝缘膜中的第一孔；形成在第一孔中并且由金属膜所制成第一导电插塞；形成在第二杂质扩散区之上的第一绝缘膜中的第二孔；第二导电插塞，其形成在第一孔中并且由与金属膜不同的难以氧化的导电材料所制成；以及电容器，其包括连接到第二导电插塞的上表面的下电极、由铁电材料和高电介质材料所形成的绝缘膜以及上电极。
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公开(公告)号：CN1431713A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02141582.X
申请日：2002-09-03
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11509 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L27/105 , H01L27/11507 , H01L28/40
Abstract: 一种半导体器件，其中包括：构成形成于半导体基片中的晶体管的第一和第二杂质扩散区；形成在该半导体基片上的第一绝缘膜；形成在第一杂质扩散区之上的第二绝缘膜中的第一孔；形成在第一孔中并且由金属膜所制成第一导电插塞；形成在第二杂质扩散区之上的第一绝缘膜中的第二孔；第二导电插塞，其形成在第一孔中并且由与金属膜不同的难以氧化的导电材料所制成；以及电容器，其包括连接到第二导电插塞的上表面的下电极、由铁电材料和高电介质材料所形成的绝缘膜以及上电极。
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公开(公告)号：CN1825595A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005095.1
申请日：2003-03-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1445856A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03107255.0
申请日：2003-03-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/0805 , H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。
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