公开(公告)号：CN101958345A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101958345B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101276792B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101276792A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101866949B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101866949A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN100492659C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200610167018.6

申请日：2006-12-13

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 守谷美彦

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明研究的目的是降低n型InGaAs非合金层的电阻。在半绝缘性GaAs衬底(1)上，顺次形成n型次集电极层(2)、n型集电极层(3)、p型基极层(4)、n型发射极层(5)和n型InGaAs非合金层(10)，n型InGaAs非合金层10由In组分不均匀n型InGaAs渐变层(10a)(不均匀组分层)和其上的In组分均匀的n型InGaAs均匀组分层(9)所构成。渐变层(10a)由In组分低的第一渐变层(7)(第一层)和In组分高于第一层的第二渐变层(8)构成，第一渐变层(7)中，为了抑制该In组分的C(碳)的背景浓度，且为了在掺杂Se作为n型掺杂剂时得到更高的载流子浓度，而掺杂了Si。

公开(公告)号：CN1983627A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610167018.6

申请日：2006-12-13

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 守谷美彦

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明研究的目的是降低n型InGaAs非合金层的电阻。在半绝缘性GaAs衬底(1)上，顺次形成n型次集电极层(2)、n型集电极层(3)、p型基极层(4)、n型发射极层(5)和n型InGaAs非合金层(10)，n型InGaAs非合金层10由In组分不均匀n型InGaAs渐变层(10a)(不均匀组分层)和其上的In组分均匀的n型InGaAs均匀组分层(9)所构成。渐变层(10a)由In组分低的第一渐变层(7)(第一层)和In组分高于第一层的第二渐变层(8)构成，第一渐变层(7)中，为了抑制该In组分的C(碳)的背景浓度，且为了在掺杂Se作为n型掺杂剂时得到更高的载流子浓度，而掺杂了Si。