公开(公告)号：CN101000930A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710001689.X

申请日：2007-01-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石原宏 ,  丸山研二 ,  田村哲朗 ,  宏真

IPC: H01L29/861 ,  H01L27/115 ,  H01L21/329 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/22 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明涉及用于非易失性半导体存储装置等的半导体元件及其制造方法、使用该半导体元件的半导体存储装置及其数据写入、数据读出和制造方法。本发明的目的是提供一种能够实现单元的尺寸减小和集成化、数据存储特性优异、能够降低功耗的半导体元件及其制造方法、使用该半导体元件的半导体存储装置及其数据写入、数据读出和制造方法。作为该半导体元件，具有铁电栅极的pn结二极管GD包括：栅极，形成在铁电膜上；反型层形成区，其中根据铁电膜的极化方向在铁电膜下方的半导体衬底中形成反型层；阴极区，形成在反型层形成区两侧中的一侧；以及阳极区，形成在反型层形成区两侧中的另一侧。