公开(公告)号：CN1416173A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02116117.8

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 倉泽正树 ,  丸山研二

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和半导体器件，所述铁电电容器(30)包括：下电极(33)；在下电极(33)上形成并具有钙钛矿型结构的铁电膜(34)；以及在铁电膜(34)上形成的上电极(35)。铁电膜(34)包括：具有第一晶系的第一铁电膜部分(34A、34C)，它沿与下电极(33)和上电极(35)中至少一个的至少一个界面上形成；以及具有第二晶系的第二铁电膜部分(34B)，第二晶系不同于第一晶系。

公开(公告)号：CN1204625C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02116117.8

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 倉泽正树 ,  丸山研二

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和半导体器件，所述铁电电容器(30)包括：下电极(33)；在下电极(33)上形成并具有钙钛矿型结构的铁电膜(34)；以及在铁电膜(34)上形成的上电极(35)。铁电膜(34)包括：具有第一晶系的第一铁电膜部分(34A、34C)，它沿与下电极(33)和上电极(35)中至少一个的至少一个界面上形成；以及具有第二晶系的第二铁电膜部分(34B)，第二晶系不同于第一晶系。