公开(公告)号：CN104518019B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201410376834.2

申请日：2014-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 苫米地秀一 ,  小谷淳二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括形成在衬底上的第一超晶格缓冲层。在第一超晶格缓冲层上形成有第二超晶格缓冲层。在第二超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成有第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成有第二半导体层。第一超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第二超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成，第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中x>y。掺杂到第二超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度。

公开(公告)号：CN104465744A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410427698.5

申请日：2014-08-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。

公开(公告)号：CN104465744B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201410427698.5

申请日：2014-08-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。

公开(公告)号：CN105931948A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610353821.2

申请日：2012-08-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  苫米地秀一

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/32 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；布置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构；以及基于AlN的并且布置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述GaN化合物半导体多层结构接触的表面包括具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm‑2或更大的数目密度形成的凹部。

公开(公告)号：CN104425584A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410347680.4

申请日：2014-07-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/778 ,  H01L29/155 ,  H01L29/157

Abstract: 本发明涉及半导体装置。根据本发明的半导体装置包括：在衬底上形成的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅极电极、源极电极和漏极电极。通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成超晶格缓冲层。第一超晶格形成层由AlxGa1-xN形成而第二超晶格形成层由AlyGa1-yN形成，其中满足关系x>y。掺杂到部分或全部第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度。

公开(公告)号：CN103545361A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310209732.7

申请日：2013-05-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/16

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。所述化合物半导体器件包括：包括有由AlN构成的第一缓冲层和由AlGaN构成并且形成在第一缓冲层上方的第二缓冲层的化合物半导体多层结构，其中第二缓冲层包含碳，以及其中第二缓冲层中的碳浓度随着从第二缓冲层的下表面向第二缓冲层的上表面的距离增加而增加。

公开(公告)号：CN102956679A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210277906.9

申请日：2012-08-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  苫米地秀一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；布置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构；以及基于AlN的并且布置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述GaN化合物半导体多层结构接触的表面包括具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm-2或更大的数目密度形成的凹部。

公开(公告)号：CN103715242B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN104518019A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410376834.2

申请日：2014-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 苫米地秀一 ,  小谷淳二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括形成在衬底上的第一超晶格缓冲层。在第一超晶格缓冲层上形成有第二超晶格缓冲层。在第二超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成有第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成有第二半导体层。第一超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第二超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第一超晶格形成层由AlxGa1-xN形成，第二超晶格形成层由AlyGa1-yN形成，其中x>y。掺杂到第二超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度。

公开(公告)号：CN103715248A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310378765.4

申请日：2013-08-27

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  小谷淳二 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层和第四半导体层；形成在第三半导体层上的栅电极；以及形成在第四半导体层上并接触第四半导体层的源电极和漏电极，其中第三半导体层在栅电极正下方的区域上由用于实现p型的半导体材料形成，并且第四半导体层中的硅的浓度高于第二半导体层中的硅的浓度。