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公开(公告)号:CN1650426A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN02829497.1
申请日:2002-12-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L24/50 , H01L24/75 , H01L24/79 , H01L24/81 , H01L24/86 , H01L25/0657 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/81121 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06551 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2225/06579 , H01L2225/06586 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明利用下述半导体装置来形成叠层型半导体装置,该半导体装置的特征在于:包括在一个主表面上配置有多个电极的半导体元件、以及在绝缘基板上配置有多个导电层的布线基板上述布线基板沿着上述半导体元件的外边缘部配置成大致コ字状;该布线基板中的上述导电层的一端连接到上述半导体元件的电极;并且上述导电层的另一端在该半导体元件的另一个主表面侧上、向与该半导体元件不同的方向引出。
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公开(公告)号:CN1855361A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610059744.6
申请日:2006-03-06
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2874 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和温度控制装置,其中受控部件配置成与热传导部件的第一主表面相接触。热传导部件具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。第一主表面的外形与受控部件的外形相对应。第二主表面的面积大于第一主表面的面积。驱动加热单元和冷却单元至少其中之一,以将受控部件调整到预设的温度。加热单元和冷却单元设置在热传导部件的第二主表面上,以使加热单元和冷却单元并排设置。
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公开(公告)号:CN100418190C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200610059744.6
申请日:2006-03-06
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2874 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和温度控制装置,其中受控部件配置成与热传导部件的第一主表面相接触。热传导部件具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。第一主表面的外形与受控部件的外形相对应。第二主表面的面积大于第一主表面的面积。驱动加热单元和冷却单元至少其中之一,以将受控部件调整到预设的温度。加热单元和冷却单元设置在热传导部件的第二主表面上,以使加热单元和冷却单元并排设置。
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