公开(公告)号：CN100589243C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200610005457.7

申请日：2006-01-18

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 西村芳孝 ,  两角朗 ,  大西一永 ,  望月英司 ,  高桥良和

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如IGBT之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘基片和散热基底之前，弯曲散热基底使它与绝缘基片相对一侧的表面凸起并通过焊接使其平坦或大致平坦，在所述绝缘基片中，所述导体层具有大于或等于0.4mm的厚度。因此，当将散热基底附加至冷却片等上时，它们的热阻较小，从而有效地散发半导体芯片的热量以防止异常温度升高。

公开(公告)号：CN101609826A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910140303.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 井川修 ,  望月英司 ,  早乙女全纪 ,  有川典男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块(1)中，引线框(9)同时具有内部端子(30)和外部端子(6)，其多个外部端子(6)同时被软焊在半导体芯片(8)上。因此，没有必要如引线接合那样逐根进行连接，从而能够高效率得到功率半导体模块。此外，因为不是用引线接合来进行连接，所以可以确保足够的电流容量。此外，在功率半导体模块(1)的制造过程中，不进行引线接合，而是通过回流焊接同时在同一工序中进行绝缘电路基板(7)和半导体芯片(8)、以及半导体芯片(8)和引线框(9)的接合。因此，能够使其安装时间缩短到非常短，从而能够高效率地制造功率半导体模块。

公开(公告)号：CN101339933A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810096579.0

申请日：2008-05-16

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 堀尾真史 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/142 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中，在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b)，在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d)，在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20，21)。另外，当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时，进行焊接以抑制位置偏离。由此，即使长时间使用，也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101335263A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810096583.7

申请日：2008-05-16

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 堀尾真史 ,  西泽龙男 ,  望月英司 ,  丸山力宏

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/3121 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块和半导体模块的制造方法，能够提高半导体模块的冷却效果。在绝缘板(10)的下表面上接合金属箔(11)，在绝缘板(10)的上表面上接合金属箔(12)，在金属箔(12)的上表面上接合半导体元件(14、15)。在金属箔(11)的下表面的上侧，以树脂盒(20)包围金属箔(11)、绝缘板(10)、金属箔(12)和半导体元件(14、15)，在树脂盒(20)的内表面与金属箔(11)的外周端面、以及绝缘板(10)、金属箔(12)和半导体元件(14、15)的各自的外表面的一部分之间填充有环氧树脂(30)。而且，由金属箔(11)的下表面和从树脂盒(20)露出的环氧树脂(30)形成能够与冷却体(40)紧贴的平坦面。

公开(公告)号：CN301012584D

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200830126140.9

申请日：2008-06-18

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Designer： 早乙女全纪 ,  望月英司 ,  宫下秀仁 ,  菊地昌宏