公开(公告)号：CN101609826A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910140303.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 井川修 ,  望月英司 ,  早乙女全纪 ,  有川典男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块(1)中，引线框(9)同时具有内部端子(30)和外部端子(6)，其多个外部端子(6)同时被软焊在半导体芯片(8)上。因此，没有必要如引线接合那样逐根进行连接，从而能够高效率得到功率半导体模块。此外，因为不是用引线接合来进行连接，所以可以确保足够的电流容量。此外，在功率半导体模块(1)的制造过程中，不进行引线接合，而是通过回流焊接同时在同一工序中进行绝缘电路基板(7)和半导体芯片(8)、以及半导体芯片(8)和引线框(9)的接合。因此，能够使其安装时间缩短到非常短，从而能够高效率地制造功率半导体模块。