公开(公告)号：CN100589243C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200610005457.7

申请日：2006-01-18

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 西村芳孝 ,  两角朗 ,  大西一永 ,  望月英司 ,  高桥良和

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如IGBT之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘基片和散热基底之前，弯曲散热基底使它与绝缘基片相对一侧的表面凸起并通过焊接使其平坦或大致平坦，在所述绝缘基片中，所述导体层具有大于或等于0.4mm的厚度。因此，当将散热基底附加至冷却片等上时，它们的热阻较小，从而有效地散发半导体芯片的热量以防止异常温度升高。