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公开(公告)号:CN101516616A
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200780035790.5
申请日:2007-07-27
Applicant: 宇部兴产株式会社
Inventor: 饭泉畅
IPC: B32B15/088 , C08F299/02 , C08G73/10 , C09J179/08
CPC classification number: C08G73/10 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B2255/06 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/306 , B32B2457/08 , C08F299/024 , C08G73/101 , C09D179/08 , H05K1/0393 , H05K3/386 , H05K2201/0355 , Y10T428/265 , Y10T428/31681
Abstract: 本发明的耐热性薄膜金属箔层叠体的特征在于,其是耐热性薄膜与金属箔隔着末端改性低聚物的固化物层层叠而成的、在单面或双面具有金属箔的耐热性薄膜金属箔层叠体,末端改性低聚物的固化物是通过摩尔比为n∶(n+1)(n为2~6)的四羧酸二酐及二胺与具有不饱和基团的羧酸化合物同时或逐次地反应而得到的末端改性低聚物的加热反应物。该耐热性薄膜金属箔层叠体易于制造,胶粘性优异,且焊锡耐热性及耐受芯片安装时的高温过程的耐热性优异。
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公开(公告)号:CN107249877A
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201680011854.7
申请日:2016-02-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: B32B15/08 , B32B15/088 , C08G73/10 , H05K1/03
Abstract: 本发明将铜箔重合在热熔融粘合性聚酰亚胺膜的热熔融粘合性聚酰亚胺层上并进行热压接而制造覆铜层叠板。热熔融粘合性聚酰亚胺膜包含热熔融粘合性聚酰亚胺层和耐热性聚酰亚胺层。构成热熔融粘合性聚酰亚胺层的聚酰亚胺由四羧酸成分和二胺成分而获得。四羧酸成分包含10~30摩尔%的3,3’,4,4’‑联苯四羧酸二酐,且包含70~90摩尔%的均苯四甲酸二酐。二胺成分包含超过50摩尔%的2,2‑双[4‑(4‑氨基苯氧基)苯基]丙烷。构成耐热性聚酰亚胺层的聚酰亚胺由四羧酸成分和二胺成分而获得。四羧酸成分包含超过50摩尔%的3,3’,4,4’‑联苯四羧酸二酐。二胺成分包含超过50摩尔%的对苯二胺。
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公开(公告)号:CN102458848B
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201080025986.8
申请日:2010-04-14
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及敷金属用的聚酰亚胺膜,是具有各向异性的线膨胀系数,在聚酰亚胺层(b)的单面或两面层叠了聚酰亚胺层(a)的敷金属用的聚酰亚胺膜,聚酰亚胺层(b)是由包含3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐的酸成分和包含对苯二胺的二胺成分得到的聚酰亚胺,聚酰亚胺层(a)是由包含选自苯二胺和二氨基二苯醚中的至少1种二胺的单体成分得到的聚酰亚胺,还包含表面处理剂。
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公开(公告)号:CN101322448B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200680045492.X
申请日:2006-10-13
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K3/388 , H05K1/036 , H05K3/067 , H05K3/108 , H05K3/26 , H05K3/386 , H05K3/389 , H05K2201/0154 , H05K2201/0761
Abstract: 一种制备金属布线板的方法,所述金属布线板具有耐热性树脂板和层压在该板上的金属布线,并且在所述金属布线的板层压侧的表面使用选自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一种金属或包含这些金属中的至少一种的合金(以下,被称为表面-处理金属)进行表面处理。该方法包括:在树脂板上形成金属布线的步骤;以及清洗步骤,即用能够移除表面-处理金属的蚀刻溶液至少清洗树脂板的表面,由此提高树脂板表面的粘合。由此制备的金属布线板具有与用于将IC芯片或各向异性的导电膜粘附到膜的粘合剂的优异粘合性。
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公开(公告)号:CN102112293A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200980130759.9
申请日:2009-06-02
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: B29C41/003 , B29C41/24 , B29C55/08 , B29D7/01 , B29K2077/10 , B29K2079/08 , B29L2007/008 , C08G73/1067 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08L79/08
Abstract: 本发明提供工业上容易实施的、制备宽度方向(TD)的线性膨胀系数比传送方向(MD)的线性膨胀系数小的芳族聚酰亚胺薄膜的方法。将芳族聚酰亚胺薄膜的制备中使用的自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜的溶剂含量调节为25~45质量%的值,酰亚胺化率调节为5~40%范围的值,沿宽度方向在80~240℃范围的温度开始与自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜的加热同时进行的拉伸,在350~580℃范围的温度下进行将拉伸的自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜变换为自支撑性芳族聚酰亚胺薄膜的步骤。
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公开(公告)号:CN107249877B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201680011854.7
申请日:2016-02-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: B32B15/08 , B32B15/088 , C08G73/10 , H05K1/03
Abstract: 本发明将铜箔重合在热熔融粘合性聚酰亚胺膜的热熔融粘合性聚酰亚胺层上并进行热压接而制造覆铜层叠板。热熔融粘合性聚酰亚胺膜包含热熔融粘合性聚酰亚胺层和耐热性聚酰亚胺层。构成热熔融粘合性聚酰亚胺层的聚酰亚胺由四羧酸成分和二胺成分而获得。四羧酸成分包含10~30摩尔%的3,3’,4,4’‑联苯四羧酸二酐,且包含70~90摩尔%的均苯四甲酸二酐。二胺成分包含超过50摩尔%的2,2‑双[4‑(4‑氨基苯氧基)苯基]丙烷。构成耐热性聚酰亚胺层的聚酰亚胺由四羧酸成分和二胺成分而获得。四羧酸成分包含超过50摩尔%的3,3’,4,4’‑联苯四羧酸二酐。二胺成分包含超过50摩尔%的对苯二胺。
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公开(公告)号:CN101516616B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN200780035790.5
申请日:2007-07-27
Applicant: 宇部兴产株式会社
Inventor: 饭泉畅
IPC: B32B15/088 , C08F299/02 , C08G73/10 , C09J179/08
CPC classification number: C08G73/10 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B2255/06 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/306 , B32B2457/08 , C08F299/024 , C08G73/101 , C09D179/08 , H05K1/0393 , H05K3/386 , H05K2201/0355 , Y10T428/265 , Y10T428/31681
Abstract: 本发明的耐热性薄膜金属箔层叠体的特征在于,其是耐热性薄膜与金属箔隔着末端改性低聚物的固化物层层叠而成的、在单面或双面具有金属箔的耐热性薄膜金属箔层叠体,末端改性低聚物的固化物是通过摩尔比为n∶(n+1)(n为2~6)的四羧酸二酐及二胺与具有不饱和基团的羧酸化合物同时或逐次地反应而得到的末端改性低聚物的加热反应物。该耐热性薄膜金属箔层叠体易于制造,胶粘性优异,且焊锡耐热性及耐受芯片安装时的高温过程的耐热性优异。
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公开(公告)号:CN101322447B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200680045423.9
申请日:2006-10-13
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K3/067 , H05K3/025 , H05K3/108 , H05K3/244 , H05K3/26 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2201/0761 , H05K2203/1476 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
Abstract: 一种通过相减法或半-添加法,由其上具有载体的覆铜箔聚酰亚胺膜制备具有铜-布线的聚酰亚胺膜的方法。通过用蚀刻溶液清洗由于蚀刻铜箔而暴露的聚酰亚胺表面,所述蚀刻溶液能够主要移除用于铜箔的表面处理的选自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一种金属或包含这些金属中的至少一种的合金。由于这样,当铜布线用锡电镀时,电镀组分被抑制反常沉积。
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公开(公告)号:CN102458848A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201080025986.8
申请日:2010-04-14
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K1/0346 , B29C41/24 , B29C55/04 , B29K2079/08 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2307/306 , B32B2307/3065 , B32B2307/308 , B32B2307/516 , B32B2307/546 , B32B2307/714 , B32B2307/732 , B32B2457/08 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1067 , C08G73/1071 , C09D179/08 , H05K3/388 , H05K3/389 , H05K2201/0154 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及敷金属用的聚酰亚胺膜,是具有各向异性的线膨胀系数,在聚酰亚胺层(b)的单面或两面层叠了聚酰亚胺层(a)的敷金属用的聚酰亚胺膜,聚酰亚胺层(b)是由包含3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐的酸成分和包含对苯二胺的二胺成分得到的聚酰亚胺,聚酰亚胺层(a)是由包含选自苯二胺和二氨基二苯醚中的至少1种二胺的单体成分得到的聚酰亚胺,还包含表面处理剂。
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公开(公告)号:CN102712768B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201080061787.2
申请日:2010-11-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C08J5/18 , B29C41/24 , B29C41/46 , B32B15/088 , C08G73/10 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , C23C14/24 , C23C14/34
CPC classification number: H01L31/03928 , B29C41/24 , B29K2079/08 , C08G73/1067 , C08L79/08 , C23C14/20 , C23C14/205 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/31681
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺膜,使用这种薄膜作为基板可生产具有柔韧性和高转换效率的CIS太阳能电池,这种聚酰亚胺膜由3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐作为主要组分的芳香族四羧酸组分和对苯二胺作为主要组分的芳香族二胺组分制得,在25℃至500℃的升温步骤中,基于热处理前25℃时的尺寸,聚酰亚胺膜的最大尺寸变化在+0.6%至+0.9%的范围内,不包括+0.6%。
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