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公开(公告)号：CN105637721B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201480056614.X
申请日：2014-10-14
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器（1），包括主体（2）以及布置在所述主体上的脊结构（3），所述脊结构在有源区带之上被沿着纵向轴定向，其中，所述脊结构具有第一宽度，并且其中，所述脊结构沿着所述纵向轴（8）具有两个相对的端表面，其中所述脊结构与至少一个端表面相邻地具有相对于所述脊结构的中心轴布置在一侧上的端分段（5），以使得所述脊结构（3）与所述端表面相邻地在一侧上被加宽。此外，在所述脊结构的相对于端分段的侧上，断裂沟道（47）被与所述端表面相邻地并且在距所述脊结构（3）一定距离处布置在所述主体的表面中。所述半导体激光器被生长在晶片（17）上，并且切块在沿着所述端分段和所述断裂沟道（47）的纵向轴中心定位的断裂方向（14）上发生。
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公开(公告)号：CN107251345A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680011561.9
申请日：2016-02-18
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 一种用于制造电子组件的方法，包括用于以下的步骤：提供具有第一区（110）和邻近第一区的第二区（120）的表面；在表面的第一区之上布置牺牲层（200）；在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层（300）；在表面的第一区之上的钝化层中制作开口（410）；以及移除牺牲层（200）。为此目的，还可以使用光致抗蚀剂层（400）。在掩蔽和蚀刻牺牲层之后，可以通过因而形成的预定断裂点机械移除剩余的光致抗蚀剂层（400）和钝化层（300）的悬垂部分。
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公开(公告)号：CN107112393B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201580061260.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种用于产生光电子元件的方法、一种用于测试元件的方法以及光电子元件，其中在引导平面（19）中引导由有源区（5、6）产生的电磁辐射，其中大体上在引导平面（19）中输出电磁辐射，其中有源区（5、6）相对于引导平面（19）在侧面输出杂散辐射（12），其中电接触面（18）被提供，其中接触面（18）被布置在引导平面的外面，其中接触面（18）由至少部分地用导电层（9）覆盖的表面（8）形成，其中表面（9）具有倾斜的局部面（15），其中导电层（9）在接触面（18）的倾斜面的至少子集处如此薄以致电磁杂散辐射（12）经由倾斜面（15）的子集离开。
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公开(公告)号：CN107112393A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061260.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种用于产生光电子元件的方法、一种用于测试元件的方法以及光电子元件，其中在引导平面（19）中引导由有源区（5、6）产生的电磁辐射，其中大体上在引导平面（19）中输出电磁辐射，其中有源区（5、6）相对于引导平面（19）在侧面输出杂散辐射（12），其中电接触面（18）被提供，其中接触面（18）被布置在引导平面的外面，其中接触面（18）由至少部分地用导电层（9）覆盖的表面（8）形成，其中表面（9）具有倾斜的局部面（15），其中导电层（9）在接触面（18）的倾斜面的至少子集处如此薄以致电磁杂散辐射（12）经由倾斜面（15）的子集离开。
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公开(公告)号：CN107251345B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201680011561.9
申请日：2016-02-18
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 一种用于制造电子组件的方法，包括用于以下的步骤：提供具有第一区（110）和邻近第一区的第二区（120）的表面；在表面的第一区之上布置牺牲层（200）；在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层（300）；在表面的第一区之上的钝化层中制作开口（410）；以及移除牺牲层（200）。为此目的，还可以使用光致抗蚀剂层（400）。在掩蔽和蚀刻牺牲层之后，可以通过因而形成的预定断裂点机械移除剩余的光致抗蚀剂层（400）和钝化层（300）的悬垂部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078455B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580060577.4
申请日：2015-08-27
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；用于在半导体晶片的顶侧上创建多个凹处（200）的步骤，所述凹处被沿着破裂方向一个接在另一个之后地布置，其中每个凹处具有在破裂方向上一个接在另一个之后的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，在至少一个凹处的情况下，后边界表面相对于半导体晶片的顶侧倾斜在95°和170°之间的角度；以及用于在垂直于半导体晶片的顶侧定向并延伸通过凹处的破裂平面处在破裂方向上使半导体晶片破裂的步骤。
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公开(公告)号：CN105453350B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201480046192.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/023 , H01S5/02315 , H01S5/0233 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/024 , H01S5/042 , H01S5/40
Abstract: 本发明涉及一种包括边缘发射第一激光芯片（100）的激光元件（500）。所述边缘发射第一激光芯片具有上侧（101）、下侧（102）、端面（103）和侧面（104、105）。发射区（131）形成在端面上。侧面被定向成垂直于上侧和端面。第一金属化层（170）被布置在上侧上。台阶（153）形成在侧面上，侧面的邻近上侧的部分借助于该台阶而凹陷。钝化层（160）被布置在侧面的凹陷部中。激光芯片被布置在载体（400）上，其例如由金刚石构成。第一激光芯片（100）的侧面（104）面向载体（400）的表面。被布置在载体的表面上的第一焊接接触件（410）以导电的方式连接到第一金属化层（170）。借助于第一激光芯片（100）的第一金属化层（170）到第三激光芯片（300）的第一金属化层的电连接并且借助于藉由焊接接触件（410、420、430）的SMD安装，可提供具有高功率、改进的冷却并且没有令人烦恼的干扰的激光元件，因为两个发射区（131）定位成彼此至多相隔20μm（501）。
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公开(公告)号：CN107078455A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060577.4
申请日：2015-08-27
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；用于在半导体晶片的顶侧上创建多个凹处（200）的步骤，所述凹处被沿着破裂方向一个接在另一个之后地布置，其中每个凹处具有在破裂方向上一个接在另一个之后的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，在至少一个凹处的情况下，后边界表面相对于半导体晶片的顶侧倾斜在95°和170°之间的角度；以及用于在垂直于半导体晶片的顶侧定向并延伸通过凹处的破裂平面处在破裂方向上使半导体晶片破裂的步骤。
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公开(公告)号：CN105637721A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056614.X
申请日：2014-10-14
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器（1），包括主体（2）以及布置在所述主体上的脊结构（3），所述脊结构在有源区带之上被沿着纵向轴定向，其中，所述脊结构具有第一宽度，并且其中，所述脊结构沿着所述纵向轴（8）具有两个相对的端表面，其中所述脊结构与至少一个端表面相邻地具有相对于所述脊结构的中心轴布置在一侧上的端分段（5），以使得所述脊结构（3）与所述端表面相邻地在一侧上被加宽。此外，在所述脊结构的相对于端分段的侧上，断裂沟道（47）被与所述端表面相邻地并且在距所述脊结构（3）一定距离处布置在所述主体的表面中。所述半导体激光器被生长在晶片（17）上，并且切块在沿着所述端分段和所述断裂沟道（47）的纵向轴中心定位的断裂方向（14）上发生。
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公开(公告)号：CN105453350A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480046192.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/02256 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02469 , H01S5/02484 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/4043 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种包括边缘发射第一激光芯片（100）的激光元件（500）。所述边缘发射第一激光芯片具有上侧（101）、下侧（102）、端面（103）和侧面（104、105）。发射区（131）形成在端面上。侧面被定向成垂直于上侧和端面。第一金属化层（170）被布置在上侧上。台阶（153）形成在侧面上，侧面的邻近上侧的部分借助于该台阶而凹陷。钝化层（160）被布置在侧面的凹陷部中。激光芯片被布置在载体（400）上，其例如由金刚石构成。第一激光芯片（100）的侧面（104）面向载体（400）的表面。被布置在载体的表面上的第一焊接接触件（410）以导电的方式连接到第一金属化层（170）。借助于第一激光芯片（100）的第一金属化层（170）到第三激光芯片（300）的第一金属化层的电连接并且借助于藉由焊接接触件（410、420、430）的SMD安装，可提供具有高功率、改进的冷却并且没有令人烦恼的干扰的激光元件，因为两个发射区（131）定位成彼此至多相隔20μm（501）。
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