-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102831291A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210235777.7
申请日：2012-07-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种虚拟绘制中浅色扩散区墨浓度计算方法，属于虚拟绘制技术领域，扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，将浅色扩散区划分为宽度相等的圆环区，引入墨浓度衰变度参数，给出了浅色扩散区墨浓度计算方法，包括计算深色扩散区墨浓度、计算浅色扩散区墨浓度衰变度、计算浅色扩散区墨浓度等步骤，从而得到浅色扩散区某个圆环区的墨浓度。该方法揭示了浅色扩散区墨浓度变化规律，克服了现有虚绘制方法中浅色扩散区墨浓度呈现均匀分布的局限，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。
-
公开(公告)号：CN102820311A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210254461.2
申请日：2012-09-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L27/146 , G03F7/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明一种制作偏振敏感光电探测器的方法属于微纳米制造技术领域，特别涉及一种基于纳米压印技术制作偏振敏感光电探测器的方法。为实现光电探测器具有偏振检测的功能，利用纳米压印工艺在光电探测器上制作双层纳米金属光栅偏振器，其步骤如下：清洗光电探测器，使其表面无颗粒等污染；在光电探测器上旋涂压印胶，应用纳米压印制作纳米光栅；热蒸镀金属，在光栅之上及光栅之间沉积一层金属；旋涂光刻胶，曝光显影，利用显影液去除光电探测器引线电极上的光刻胶及热蒸镀的金属；以剩余光刻胶为掩膜，干法刻蚀去除引线电极上的压印胶。本发明消除了分立器件带来的安装误差，利用纳米压印工艺实现单片或小批量的生产。成本低，加工效率高。
-
公开(公告)号：CN102831292B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210235882.0
申请日：2012-07-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种基于力反馈技术的虚拟水墨扩散范围计算方法，属于虚拟绘制技术领域，是在虚拟绘制中引入虚拟力影响系数，将扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，给出了深色扩散区和浅色扩散区扩散范围的计算方法，包括计算吸储量、计算深色扩散区粒子量、计算深色扩散区扩散范围、计算浅色扩散区粒子量、计算浅色扩散区扩散范围等步骤，计算出浅色扩散区宽度2，从而得到虚拟力影响下的浅色扩散区扩散范围。本发明在虚拟绘制中引入了力反馈技术，揭示了虚拟绘制过程中力对水墨扩散的影响机理，分别给出了深色扩散区和浅色扩散区扩散范围的计算方法，弥补了现有水墨扩散方法中未考虑力觉因素的不足，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。
-
公开(公告)号：CN102831291B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210235777.7
申请日：2012-07-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种虚拟绘制中浅色扩散区墨浓度计算方法，属于虚拟绘制技术领域，扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，将浅色扩散区划分为宽度相等的圆环区，引入墨浓度衰变度参数，给出了浅色扩散区墨浓度计算方法，包括计算深色扩散区墨浓度、计算浅色扩散区墨浓度衰变度、计算浅色扩散区墨浓度等步骤，从而得到浅色扩散区某个圆环区的墨浓度。该方法揭示了浅色扩散区墨浓度变化规律，克服了现有虚绘制方法中浅色扩散区墨浓度呈现均匀分布的局限，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。
-
公开(公告)号：CN102831292A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210235882.0
申请日：2012-07-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种基于力反馈技术的虚拟水墨扩散范围计算方法，属于虚拟绘制技术领域，是在虚拟绘制中引入虚拟力影响系数，将扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，给出了深色扩散区和浅色扩散区扩散范围的计算方法，包括计算吸储量、计算深色扩散区粒子量、计算深色扩散区扩散范围、计算浅色扩散区粒子量、计算浅色扩散区扩散范围等步骤，计算出浅色扩散区宽度2，从而得到虚拟力影响下的浅色扩散区扩散范围。本发明在虚拟绘制中引入了力反馈技术，揭示了虚拟绘制过程中力对水墨扩散的影响机理，分别给出了深色扩散区和浅色扩散区扩散范围的计算方法，弥补了现有水墨扩散方法中未考虑力觉因素的不足，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.016 seconds)
