公开(公告)号：CN104716059B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510069934.5

申请日：2015-02-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 赵宁 ,  黄明亮 ,  钟毅 ,  赵建飞 ,  许利伟 ,  马海涛

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00

Abstract: 本发明公开了一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及结构，所述方法包括对钎料和钎料两侧的金属凸点进行加热处理以进行钎焊反应形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述钎料两侧的金属凸点之间形成温度梯度。利用所述方法制备的三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合结构，所述金属凸点为单晶或具有择优取向时，所述形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明键合时引入温度梯度促使金属原子发生热迁移，加速界面金属间化合物的形成、生长，显著提高键合效率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中出现孔洞。

公开(公告)号：CN104716059A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510069934.5

申请日：2015-02-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 赵宁 ,  黄明亮 ,  钟毅 ,  赵建飞 ,  许利伟 ,  马海涛

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00

Abstract: 本发明公开了一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及结构，所述方法包括对钎料和钎料两侧的金属凸点进行加热处理以进行钎焊反应形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述钎料两侧的金属凸点之间形成温度梯度。利用所述方法制备的三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合结构，所述金属凸点为单晶或具有择优取向时，所述形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明键合时引入温度梯度促使金属原子发生热迁移，加速界面金属间化合物的形成、生长，显著提高键合效率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中出现孔洞。