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公开(公告)号：CN116828968A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310905342.7
申请日：2023-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种平面型忆阻器阻变类型的调控方法，该忆阻器结构为平面型，从左到右，依次是源电极、薄膜材料和漏电极。采用真空镀膜工艺在衬底上沉积大面积、掺杂的薄膜材料；通过紫外光刻和刻蚀工艺进行图形化设计，使薄膜材料具有不同的沟道长度和宽度；然后再通过紫外光刻工艺，实现源、漏电极图形化；最后采用真空镀膜工艺蒸镀源、漏电极，随后经过剥离和热退火工艺，完成器件的制备。本发明所述的薄膜制备方法，既能实现厚度和掺杂程度调控，又能实现薄膜大面积、晶圆级制备。本发明通过调控薄膜的沟道长度，选择性制备易失性或非易失性的平面型忆阻器，实现基于同种沟道材料不同阻变类型的调控。
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公开(公告)号：CN118475204A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410573448.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿光伏技术领域，具体为一种透明钙钛矿太阳电池及其制备方法。本发明在基底上由下到上依次制备透明阳极、空穴传输层、低维钙钛矿层、电子传输层、透明电极、银栅电极，得到透明钙钛矿太阳电池；其中，低维钙钛矿层是由低维钙钛矿晶体粉末的乙腈溶液以不同的速度采用旋涂或者刮涂或者狭缝涂布的方式沉积在备好的衬底/透明阳极/空穴传输层上，然后直接退火，形成的低维钙钛矿薄膜。本发明直接将高纯度的低维钙钛矿的晶体粉末溶解在乙腈中，摒弃了有毒的强极性非质子溶剂的使用；钙钛矿晶体溶液在成膜时，钙钛矿的形核和生长是同步的，得到均匀、平整的薄膜，可提升电池光伏效率和稳定性，更好地平衡透过率和功率转化效率。
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公开(公告)号：CN119630076A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411563867.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子器件技术领域，具体为一种基于势垒高度调控的双端紫外光电探测器及制备方法。本发明探测器结构自下而上依次为：衬底，电极，功能层，介质层，透明电极层；基于于金属或半导体/绝缘体介质/透明电极结构，实现紫外光谱选择；通过绝缘介质层将两层半导体或金属层材料分离，以降低器件暗电流，当紫外光照射产生非平衡热电子的能量高于势垒高度时会发生热电子发射，从而形成光电流，以实现光探测。本发明利用隧穿势垒高度调控双端器件光谱响应，避免对宽禁带半导体的依赖，具有丰富的材料选择；两端结构与前期提出的势垒调控的三端紫外光电探测器，结构更加简单，光响应速度更快。
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公开(公告)号：CN118756096A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410847296.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于二维薄膜材料领域，具体涉及一种晶圆级碲薄膜及其制备方法和应用，通过离子束溅射沉积的方式沉积碲薄膜，随后进行退火热处理，得到晶圆级碲薄膜；通过控制离子束溅射沉积过程中离子源的电流和能量以及溅射时间，以控制碲薄膜的结晶质量以及厚度；通过将薄膜放置于常压惰性气体氛围中进行退火处理，薄膜的迁移率和压电性得到提升。与现有技术相比，本发明解决现有技术中晶圆级碲薄膜仅能达到微米级以及厚度较大而大面积碲薄膜质量较差的技术问题，本方案实现了晶圆级碲薄膜的生长。
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公开(公告)号：CN118471824A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410593742.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种基于范德华接触调控的二维半导体场效应晶体管制备方法，包括制备二维半导体沟道层、接触缓冲层以及形成于所述缓冲层上的源电极、漏电极，所述缓冲层设置在源极、漏极与二维半导体沟道层的接触位置，所述缓冲层最终通过退火挥发去除。本发明基于范德华接触调控的二维半导体场效应晶体管制备方法，通过缓冲层保护二维半导体沟道层，防止二维半导体沟道层在形成源极、漏极的过程中被高能金属粒子破坏，从而提升二维半导体场效应晶体管的迁移率与电流开关比。本发明提供的基于范德华接触调控的二维半导体场效应晶体管制备方法与常规工艺兼容，不需要额外的光刻步骤即可实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118042901A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410164296.4
申请日：2024-02-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂二维(2D)苯乙胺锡碘[(C8H12N)2SnI4]的P型三维(3D)锡基钙钛矿[(CH5N2Cs)SnI3]晶体管及制备方法；所述P型3D锡基钙钛矿具有底栅顶接触结构，其制备方法首先对含有二氧化硅介电层的硅衬底进行清洁处理，再利用旋涂法制备一层掺杂苯乙胺锡碘的P型3D锡基钙钛矿薄膜作为半导体有源层，最后在有源层上使用热蒸发蒸镀金作为晶体管的源极和漏极。通过优化选择最佳掺杂量，该方法所制备的掺杂型3D锡基钙钛矿晶体管，相较于未掺杂3D锡基钙钛矿晶体管，晶体管的电流开关比和载流子迁移率得到了明显的提升，此外晶体管的阈值电压大幅减小。本发明提出了通过掺杂苯乙胺锡碘来调控3D锡基钙钛矿晶体管电学性能的方法，具有成本低廉、工艺步骤简单等优点。
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公开(公告)号：CN118401072A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410539428.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚锡‑锡基钙钛矿异质结薄膜晶体管及制备方法；所述器件沟道主体材料为强P型2D‑3D锡基钙钛矿，其化学式为((Cs0.02(FA0.9DEA0.1)0.98)0.99EDA0.01)9PEA2Sn10I31。器件为底栅顶接触式结构，其制备过程包括衬底的表面处理，半导体沟道层沉积，源漏电极物理沉积。本发明的特点在于硫源掺杂剂的选择，利用化学反应生成硫化亚锡与锡基钙钛矿异质结，从而提升薄膜器件的整体性能。相对于非异质结结构的薄膜晶体管器件，异质结结构薄膜晶体管器件的开关比、载流子浓度、亚阈值摆幅、阈值电压以及迁移率性能都得到显著提升，尤其是在稳定性方面得到了极大提升。因此本发明提出的硫化亚锡‑锡基钙钛矿异质结薄膜晶体管的制备方法，具有制备工艺简单、成本低廉、兼具大面积制备的优势。
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公开(公告)号：CN118102819A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410285758.8
申请日：2024-03-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于路易斯酸掺杂的多功能有机薄膜晶体管及制备方法。其制备方法首先在由热氧化法生长100 nm二氧化硅介电层的重掺杂P型硅栅电极衬底上，进行分子自组装层修饰，然后在自组装层上利用溶胶凝胶法制备一层路易斯酸掺杂后的P型有机半导体有源层，最后通过掩膜版在半导体表面热蒸镀金形成源漏电极。该方法所制备的路易酸掺杂有机薄膜晶体管相较于未掺杂有机薄膜晶体管，其电流开关比提升约1个数量级，迁移率提升约4倍。在不同波长的激光照射下该晶体管可在405 nm波段可实现突触晶体管的功能，在785 nm波段可应用于光探测。本发明具有成本低廉、制备简单、稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN116249440A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310267640.8
申请日：2023-03-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于阻变存储器件技术领域，具体为一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及其制备方法。本发明器件自上而下依次为衬底、氧化物层、底电极、二维离子导电体功能层、少层石墨烯、顶电极；其中，氧化层为SiO2,底电极为Cr和Cu电极，二维离子导电体功能层为铜基磷硫酸盐，顶电极为Cr和Au电极。本发明通过引入铜电极与铜基磷硫酸盐以及石墨烯形成范德华异质结；通过施加电压控制铜基磷硫酸盐中铜离子的耗尽与积累，从而实现稳定的阈值阻变行为。铜电极的引入增加了铜离子的浓度梯度，使得功能层在电压降低时能通过铜离子扩散从低阻态恢复到高阻态。该阈值转变器件具有良好的稳定性和抗疲劳特性、较高的开关比以及超小亚阈值摆幅等特点。
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公开(公告)号：CN1073696C
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN98121928.4
申请日：1998-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: G01J3/447
Abstract: 已有的红外双重富利埃变换的椭圆偏振光谱仪设计方法均采用单只起偏器，并由检偏器作连续转动。本发明在既对波长又对偏振角作双重富利埃变换的同时，采用两个起偏器Po和P，其中起偏器Po固定，检偏器A与起偏器P采用2∶1系数同步旋转，可得到各波长的光强信号，通过双重富利埃变换求得对应于各波长的4个交流光强分量，就能以不同的组合自洽求出完整的椭偏参数。采用本发明制造的红外椭圆偏振光谱仪，具有数据自洽、准确、灵敏和实时快速的优点。
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