基于范德华接触调控的二维半导体场效应晶体管制备方法

    公开(公告)号:CN118471824A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410593742.3

    申请日:2024-05-14

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于范德华接触调控的二维半导体场效应晶体管制备方法,包括制备二维半导体沟道层、接触缓冲层以及形成于所述缓冲层上的源电极、漏电极,所述缓冲层设置在源极、漏极与二维半导体沟道层的接触位置,所述缓冲层最终通过退火挥发去除。本发明基于范德华接触调控的二维半导体场效应晶体管制备方法,通过缓冲层保护二维半导体沟道层,防止二维半导体沟道层在形成源极、漏极的过程中被高能金属粒子破坏,从而提升二维半导体场效应晶体管的迁移率与电流开关比。本发明提供的基于范德华接触调控的二维半导体场效应晶体管制备方法与常规工艺兼容,不需要额外的光刻步骤即可实现。

    声速不均匀介质热声成像的重建算法

    公开(公告)号:CN101214156A

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200810032506.5

    申请日:2008-01-10

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 汪源源 张弛

    Abstract: 本发明属于热声成像技术领域,具体为一种声速不均匀介质热声成像的图像重建方法。该方法通过对声速均匀介质热声成像的时域重建法进行修正,使声波在介质中两点间的传播时间不再与距离成正比,而是通过估计出的声速分布计算出来。当前对声速不均匀介质热声成像的重建算法大都需要声速分布的先验知识,并采用迭代方法计算,速度很慢。本发明无需介质内声速分布的先验知识,而且是一种直接的反向方法,可以一次性快速重建出声速不均匀介质的整幅热声图像。

    声速不均匀介质热声成像的重建算法

    公开(公告)号:CN101214156B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200810032506.5

    申请日:2008-01-10

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 汪源源 张弛

    Abstract: 本发明属于热声成像技术领域,具体为一种声速不均匀介质热声成像的图像重建方法。该方法通过对声速均匀介质热声成像的时域重建法进行修正,使声波在介质中两点间的传播时间不再与距离成正比,而是通过估计出的声速分布计算出来。当前对声速不均匀介质热声成像的重建算法大都需要声速分布的先验知识,并采用迭代方法计算,速度很慢。本发明无需介质内声速分布的先验知识,而且是一种直接的反向方法,可以一次性快速重建出声速不均匀介质的整幅热声图像。

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