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公开(公告)号：CN118099765A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410220768.3
申请日：2024-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，具体为一种一维铜基纳米线材料及其制备方法和应用。本发明的一维铜基纳米线材料是由Te气相沉积于一维氧化铜空心纳米线制成，即其基底为氧化铜空心纳米线，负载为Te气相沉积形成的CuTeO3；该材料在2.0‑18.0GHz频率范围内展现出优异的电磁波损耗能力。本发明利用铜纳米线作为碳基模板及第一元素负载，通过低温氧化，形成空心纳米线；再在其表面进行Te元素气相沉积，实现CuO/CuTeO3异质结，通过改变煅烧温度和时间，制得一维铜基纳米线材料。本发明合成工艺简单，可规模化制备，材料性能优异，在微波吸收、催化等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1305022A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00137217.3
申请日：2000-12-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/12 , H01L31/0392 , H01L21/36
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种制备金属有机配合物薄膜的方法,其步骤为,先用常规方法在衬底上形成一层金属薄膜,再将衬底及TCNQ粉末置于密闭容器中,抽真空,加热,使金属膜原子与汽相有机分子反应,然后冷却至室温,即形成致密性、均匀性好的高质量金属有机配合物薄膜。本方法特别适用于制备较大面积的薄膜。
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公开(公告)号：CN103050608B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310016967.4
申请日：2013-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/48 , H01L33/64 , H01L25/075 , H01L23/60
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明属于LED光源技术领域，具体为一种在ZnO基压敏复合陶瓷基板上封装的LED。该LED包括散热基板、静电防护材料、LED芯片、金丝连线、荧光粉和硅胶，其中散热基板采用ZnO压敏复合陶瓷基板等；所述ZnO压敏复合陶瓷由基质陶瓷添加Bi2O3等第二相纳米高热导陶瓷材料经烧结制成。本发明利用高热导陶瓷材料添加入ZnO陶瓷基体材料中，形成网络，实现高热导网络热传导路径，降低以此陶瓷材料封装的LED热阻；并形成无数个类似正反串联的齐纳二极管，实现高电阻和静电功能。本发明制造LED封装结构简单、热阻小、高效、抗光衰能力佳、成本低、抗静电能力强；适用于制造低成本高效大功率LED。
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公开(公告)号：CN103489962A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310459051.6
申请日：2013-10-07
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02601 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02499 , H01L21/02513 , H01L21/0256 , H01L21/02617
Abstract: 本发明属于半导体与纳米材料技术领域，具体为一种大面积制备半导体量子点的方法。本方法采用喷雾的方法将不同的前驱液和清洗溶液分别连续喷到衬底上，由人工或自动控制所需的循环次数，在衬底上制备出量子点。本发明方法简化了量子点的制备工艺，降低了设备成本；制备过程中不同前驱液和清洗液不会在各自的容器中相互污染，提高了材料利用率；由于不需要浸入大面积衬底的容器，衬底大小不受限制，特别适合于太阳电池这类需要大面积衬底的光电子器件；而且量子点只在需要生长的衬底面上生长。另外可以附加衬底加热组件，对某些需要在量子点生长过程中加热或生长结束后退火的产品进行热处理。
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公开(公告)号：CN103469179A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310459052.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体与薄膜材料技术领域，具体涉及一种真空环境下基于溶液的无机梯度薄膜的制备方法。本方法在真空环境下将前驱液雾化后喷到加热衬底上，在喷雾过程中逐渐改变前驱液中某一成分的浓度，或是在同时利用多种前驱液时，改变其中一种或几种前驱液在总的喷雾流量中的比例，从而制备得梯度薄膜。本发明可以自由控制薄膜中的某一成分在薄膜生长方向上的含量，制备出梯度、多层甚至更加复杂的纵向薄膜结构。本发明可在有较大真空室情况下，制备大面积均匀薄膜。本发明基于溶液的成膜技术，并附加冷阱等吸附装置，挥发的溶剂可以被收集回收，不会污染环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100487827C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610025887.5
申请日：2006-04-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M-TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg。本发明利用M-TCNQ纳米线的可逆电双稳性质：当电压达到某一阈值时，M-TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5-6个数量级，跃迁时间很短，小于50纳秒；在电压(电场)撤去后，又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质，不需掺杂、不需PN结，因而具有抗辐射的功能。
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公开(公告)号：CN1845263A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610025887.5
申请日：2006-04-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M－TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg。本发明利用M－TCNQ纳米线的可逆电双稳性质：当电压达到某一阈值时，M－TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5－6个数量级，跃迁时间很短，小于50纳秒；在电压(电场)撤去后，又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质，不需掺杂、不需PN结，因而具有抗辐射的功能。
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公开(公告)号：CN1413996A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02137111.3
申请日：2002-09-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种具有微型管状晶体结构的金属有机配合物及其制备方法。用本发明有望制备金属有机配合物纳米管。制备步骤如下：将TCNQ溶入分析纯的乙腈中制成饱和溶液；在清洗好的基板上用真空镀膜方法生长一层金属膜(M)；将金属膜浸入TCNQ的乙腈饱和溶液中2－4秒，可看到基板上慢慢变为蓝色，将基板取出。用扫描电镜可观测到M－TCNQ的微型管状晶体结构。
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公开(公告)号：CN103469179B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201310459052.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体与薄膜材料技术领域，具体涉及一种真空环境下基于溶液的无机梯度薄膜的制备方法。本方法在真空环境下将前驱液雾化后喷到加热衬底上，在喷雾过程中逐渐改变前驱液中某一成分的浓度，或是在同时利用多种前驱液时，改变其中一种或几种前驱液在总的喷雾流量中的比例，从而制备得梯度薄膜。本发明可以自由控制薄膜中的某一成分在薄膜生长方向上的含量，制备出梯度、多层甚至更加复杂的纵向薄膜结构。本发明可在有较大真空室情况下，制备大面积均匀薄膜。本发明基于溶液的成膜技术，并附加冷阱等吸附装置，挥发的溶剂可以被收集回收，不会污染环境。
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公开(公告)号：CN102121098A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010022645.7
申请日：2010-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/46 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及一种外加热方式的金属有机化学气相沉积系统反应腔，其为双层结构，外层是石英保护腔外筒，内层是石英反应腔内筒，摆放基片的衬底托盘安装在反应腔内筒腔内，双重保护确保基片反应时不受外界环境影响，保证高纯和化学、物理稳定的要求；本发明反应腔的衬底托盘由旋转轴支撑，并通过旋转轴与衬底托盘旋转机构联接，工作时衬底托盘可主动旋转，有效提高了薄膜组分和厚度的均匀性。本发明采用在反应腔外设置加热体的方法，大大简化了反应腔和加热体的结构，降低了设备成本；同时外置的加热体避免了加热组件对反应腔的污染；加热器相对反应腔中的衬底能够作相对位置移动，在反应过程中或结束时能够简单快速地改变基板温度。
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