公开(公告)号：CN110600498A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910771619.5

申请日：2019-08-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 熊诗圣 ,  姜琴 ,  李冬雪 ,  杨晓敏

IPC: H01L27/24

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体为一种忆阻器十字交叉阵列的制备方法。本发明采用10nm及以下节点的导向自组装光刻技术在衬底上制备忆阻器交叉电极并以此定义氧化物功能层的特征尺寸，其中嵌段共聚物是由化学性质不同的两种及两种以上的单体聚合而成；使用热退火或者溶剂蒸汽退火法达到热平衡态，形成纳米层状结构；使用原子层沉积技术选择性地将金属氧化物渗透到极性嵌段中去，以产生一个硬掩模，增加刻蚀对比度；然后通过干法刻蚀转移到衬底的顶层硅；再采用串联自组装工艺来实现两层光栅结构的垂直交叉，接着制备忆阻器十字交叉结构中的顶部和底部电极阵列，再通过溶脱工艺，制作出迄今为止最大规模的器件阵列。

公开(公告)号：CN118042901A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410164296.4

申请日：2024-02-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李文武 ,  杨晓敏 ,  褚君浩

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K85/50 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种掺杂二维(2D)苯乙胺锡碘[(C8H12N)2SnI4]的P型三维(3D)锡基钙钛矿[(CH5N2Cs)SnI3]晶体管及制备方法；所述P型3D锡基钙钛矿具有底栅顶接触结构，其制备方法首先对含有二氧化硅介电层的硅衬底进行清洁处理，再利用旋涂法制备一层掺杂苯乙胺锡碘的P型3D锡基钙钛矿薄膜作为半导体有源层，最后在有源层上使用热蒸发蒸镀金作为晶体管的源极和漏极。通过优化选择最佳掺杂量，该方法所制备的掺杂型3D锡基钙钛矿晶体管，相较于未掺杂3D锡基钙钛矿晶体管，晶体管的电流开关比和载流子迁移率得到了明显的提升，此外晶体管的阈值电压大幅减小。本发明提出了通过掺杂苯乙胺锡碘来调控3D锡基钙钛矿晶体管电学性能的方法，具有成本低廉、工艺步骤简单等优点。