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公开(公告)号：CN118756096A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410847296.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于二维薄膜材料领域，具体涉及一种晶圆级碲薄膜及其制备方法和应用，通过离子束溅射沉积的方式沉积碲薄膜，随后进行退火热处理，得到晶圆级碲薄膜；通过控制离子束溅射沉积过程中离子源的电流和能量以及溅射时间，以控制碲薄膜的结晶质量以及厚度；通过将薄膜放置于常压惰性气体氛围中进行退火处理，薄膜的迁移率和压电性得到提升。与现有技术相比，本发明解决现有技术中晶圆级碲薄膜仅能达到微米级以及厚度较大而大面积碲薄膜质量较差的技术问题，本方案实现了晶圆级碲薄膜的生长。
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