公开(公告)号：CN119855260A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411875107.0

申请日：2024-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 俞亮 ,  陆明 ,  孙剑 ,  杨颜如 ,  沈丹

IPC: H10F30/227 ,  H10F30/24 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种双肖特基结硅基近红外光电探测器及其制备方法。本发明的探测器结构从上到下依次为：正面电极、上金属层、硅衬底、下金属层、背面电极。本发明利用上金属层和硅衬底形成的肖特基结吸收波长大于Si带隙宽度的近红外光，形成光电响应。并通过在探测器背面引入肖特基结，进一步降低了探测器暗电流，提高响应度。与传统的单肖特基结探测器相比，本发明的暗电流密度降低了两个数量级，响应度提升了4倍，比探测度提升了一个数量级以上。

公开(公告)号：CN119463690A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411508064.2

申请日：2024-10-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘恺欣 ,  马凤阳 ,  俞亮 ,  闫仲尧 ,  陆明

IPC: C09D183/04 ,  C09K11/59 ,  C09K11/79 ,  C09K11/02 ,  C09D5/32 ,  C09D5/22

Abstract: 本发明属于光通信技术领域，具体为一种高浓度铒元素掺杂的高亮度通信波段硅基发光薄膜及其制备方法。本发明以HSQ为溶剂，以硝酸铒五水合物为铒元素的来源，并通过镱离子和独立硅量子点的共掺杂，经搅拌、旋涂、高温退火后，得到高亮度的掺铒硅基发光薄膜。HSQ光刻胶作为硅纳米晶薄膜制备的前驱体材料，掺杂铒元素后经高温退火，所形成的薄膜中含有大量硅纳米晶。硅纳米晶作为能量传递过程的敏化剂，吸收入射光子能量之后再传递并激活铒离子，实现发射中心波长位于1.54μm的光致发光。本发明避免了离子注入法产生的大量缺陷，也无需维持高真空度，所制成的掺铒薄膜具有作为铒发光敏化剂的硅纳米晶浓度高的特点，并且制备步骤简单、操作安全。

公开(公告)号：CN118943222A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410897366.7

申请日：2024-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陆明 ,  王亮兴 ,  俞亮

IPC: H01L31/062 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体为一种双金属‑绝缘体‑半导体结构太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池结构从上到下依次为：上电极、第一绝缘层或半绝缘层、第一发射层或者吸收层、I型半导体或绝缘层、第二吸收层或者发射层、第二绝缘层或半绝缘层、下电极；本发明通过改变退火温度调节上电极、第一绝缘层或半绝缘层、第一发射层或者吸收层之间的界面接触势垒、以及第二吸收层或者发射层、第二绝缘层或半绝缘层、下电极之间的界面接触势垒；所述界面接触势垒为60％～100％(Eg～0.4eV)的时候(其中Eg为P型或N型半导体材料的带隙)，可以显著减少太阳电池的二极管理想因子损失。

公开(公告)号：CN116960208A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310805948.3

申请日：2023-07-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 俞亮 ,  吴锂 ,  戴希远 ,  杨颜如 ,  孙剑 ,  陆明

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种添加阻挡层的杂质吸收近红外探测器及其制备方法和应用。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、掺杂硅衬底（P型或N型、平面硅或黑硅）、阻挡层、背面电极。本发明利用在硅衬底中掺杂形成的体缺陷吸收近红外光并产生光生载流子，在负偏压或零偏压下形成光电流，探测近红外光，并利用阻挡层的宽带隙宽度抑制电子在掺杂硅衬底中的杂质能级传输，从而显著降低了探测器暗电流，实现了极低的暗电流与高探测度。

公开(公告)号：CN116825876A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310853947.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴锂 ,  俞亮 ,  戴希远 ,  杨颜如 ,  孙剑 ,  陆明

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、金属层、掺杂硅衬底(P型或N型、平面硅或黑硅)、钝化层、背面电极。本发明利用掺杂元素在硅衬底中掺杂形成的体缺陷吸收近红外光，产生光生载流子；通过金属与硅衬底形成的肖特基结吸收近红外光，产生光生载流子；同时利用肖特基结的内建电场促使光生载流子单向传输，在零偏压或负偏压下形成光电流，从而探测近红外光；通过肖特基结的内建电场，显著增加载流子传输速率，降低光生载流子复合概率，提升器件的响应度以及探测度。