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公开(公告)号：CN101409134B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810040937.6
申请日：2008-07-24
Abstract: 本发明属于磁电子学和磁性超薄膜材料技术领域，具体涉及一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜及其制备方法。本方法不同于传统的单一反铁磁材料生长，或常规的原子替位的掺杂生长。使用MgO与FeMn共溅的方法，使反铁磁层形成非原子替位的颗粒膜。由此完成的交换偏置双层膜样品可显著提高交换偏置场并且减小磁锻炼效应，增强稳定性。这种独特的掺杂方法有助于进一步提高交换偏置场和增强交换偏置和自旋阀样品的热稳定性。
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公开(公告)号：CN100340697C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200410067585.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属磁电子学和磁记录技术领域，具体为一种制备自旋阀的新方法。不同于传统的连续生长，首先在衬底上生长一层Ta缓冲层，然后停止溅射，约一段时间之后，继续溅射铁磁/Cu/铁磁，及反铁磁层和覆盖层，其中铁磁可以是铁、钴、镍及其合金，反铁磁可以是铁锰，氧化镍，铱锰及铂锰。由此完成的自旋阀的巨磁电阻效应比连续生长自旋阀的性能得到明显的提高。这种改善的制备方法有助于进一步提高和改善自旋阀巨磁电阻的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1252742C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN02111172.3
申请日：2002-03-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种用铁磁/反铁磁多层膜中垂直交换偏置产生垂直各向异性的新方法。首先用真空镀膜设备在衬底上制备缓冲层，然后在缓冲层上制备铁磁/反铁磁多层膜，最后在多层膜上覆盖一层保护层。完成制备后，在外磁场中将多层膜样品从高于反铁磁层的奈尔温度冷却到低温，其中外磁场的方向平行于膜面的法线方向，而且足够大使得铁磁层能够在垂直方向饱和磁化。用铁磁/反铁磁多层膜中的垂直交换偏置产生垂直各向异性，这对高密度垂直磁记录及磁光存储等信息技术领域具有重大的应用价值。
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公开(公告)号：CN1588539A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053064.4
申请日：2004-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种由铁磁/氧化镍多层膜构成且具有垂直磁各向异性的磁性器件。本发明用真空镀膜设备在衬底上交替沉积铁磁和氧化镍材料制备成铁磁/氧化镍多层膜。由于铁磁和氧化镍之间的相互作用在室温产生垂直磁各向异性，小的氧化镍晶粒尺寸使得垂直方向的磁滞回线关于零磁场对称。因此这种多层膜可以作为超高密度垂直磁记录介质、光磁混合垂直记录介质及磁光存储介质。本发明运用现有真空镀膜技术，获得了磁滞回线零磁场对称的磁性器件，弥补了现有技术的不足和缺陷。
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公开(公告)号：CN1305011A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00137209.2
申请日：2000-12-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明是一种椭圆偏振术检测DNA芯片杂交效率的方法及其装置。现有技术的检测方法多是将探针固定在基片上,去检测标记过的样品,这样的检测需要时间和等待,而且检测信号会随标记物信号的衰减而失去准确性。本发明用椭圆偏振仪检测DNA芯片杂交效率,通过生物分子本身的光学性质,测得其椭圆偏振参数Ψ、△,定义与探针完全匹配的样品和只有探针存在时的芯片杂交效率分别为极大值和极小值,从而获得待测样品的杂交效率。本发明装置简捷,测量快速准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102122559B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010022646.1
申请日：2010-01-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种磁光克尔效应增强型复合磁性材料及其制备方法和应用。该增强型复合磁性材料能显著提高磁性材料的磁光克尔效应，其磁光谱不但有很窄的共振线宽，而且对应的波长连续可调。其制备方法首先在玻璃衬底上自组织生长二维有序的聚苯乙烯小球阵列，然后在小球上用磁控溅射沉积Au/Co薄膜，可以得到两维光子晶体/磁性金属体系，最后测量极向磁光克尔谱。入射光在周期性结构中的高阶衍射导致磁光效应增强高达一个量级，峰宽几个纳米，通过使用不同尺寸的小球，可以移动磁光效应增强的波长区域。该增强型复合磁性材料的磁光谱能感应外界电介质环境的变化，这一特性可用在生物传感器等领域。
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公开(公告)号：CN101958127A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010293375.3
申请日：2010-09-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明属于磁光晶体技术领域，具体为一种高灵敏特性磁光材料及其制备方法。本发明首先在清洗的玻璃衬底上，采用直靶真空磁控溅射的方法生长铁磁薄膜材料；然后利用自组织的方法，在铁磁薄膜上密排聚苯乙烯小球，形成二维glass/Fe/PSbilayer结构；最后，溅射生长金属Au，得到二维glass/Fe/PS/Autrilayer结构。本发明制备得到磁光材料具有很高的灵敏度。这种磁光材料可以用于制作高密度存储和作高灵敏度的生物探测器。
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公开(公告)号：CN100550150C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610147249.0
申请日：2006-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体为一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。本发明不同于传统的薄膜生长过程，首先射频磁控溅射一层MgO缓冲层，然后直流磁控溅射一层TbFeCo，形成双层薄膜，材料的矫顽力明显提高。本发明可提高光磁混合存储材料矫顽力，有助于进一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向异性，从而提高材料的热稳定性。
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公开(公告)号：CN1962931A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610119293.0
申请日：2006-12-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提出一种制备TbFeCo颗粒膜的新方法。传统的TbFeCo薄膜常用作磁光以及光磁混合材料。薄膜的抗热扰动能力差。不同于传统的薄膜生长方法，本发明采用直流磁控溅射与射频磁控溅射共溅的方法，TbFeCo直流溅射，非磁性介质SiO2等射频溅射。这种制备颗粒膜的新方法改善了材料的性能，提高了材料的热稳定性。
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公开(公告)号：CN1603454A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410067585.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属磁电子学和磁记录技术领域，具体为一种制备自旋阀的新方法。不同于传统的连续生长，首先在衬底上生长一层Ta缓冲层，然后停止溅射，约一段时间之后，继续溅射铁磁/Cu/铁磁，及反铁磁层和覆盖层，其中铁磁可以是铁、钴、镍及其合金，反铁磁可以是铁锰，氧化镍，铱锰及铂锰。由此完成的自旋阀的巨磁电阻效应比连续生长自旋阀的性能得到明显的提高。这种改善的制备方法有助于进一步提高和改善自旋阀巨磁电阻的灵敏度。
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