公开(公告)号：CN100340697C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410067585.5

申请日：2004-10-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  王磊 ,  杨德政

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明属磁电子学和磁记录技术领域，具体为一种制备自旋阀的新方法。不同于传统的连续生长，首先在衬底上生长一层Ta缓冲层，然后停止溅射，约一段时间之后，继续溅射铁磁/Cu/铁磁，及反铁磁层和覆盖层，其中铁磁可以是铁、钴、镍及其合金，反铁磁可以是铁锰，氧化镍，铱锰及铂锰。由此完成的自旋阀的巨磁电阻效应比连续生长自旋阀的性能得到明显的提高。这种改善的制备方法有助于进一步提高和改善自旋阀巨磁电阻的灵敏度。

公开(公告)号：CN1603454A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410067585.5

申请日：2004-10-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  王磊 ,  杨德政

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明属磁电子学和磁记录技术领域，具体为一种制备自旋阀的新方法。不同于传统的连续生长，首先在衬底上生长一层Ta缓冲层，然后停止溅射，约一段时间之后，继续溅射铁磁/Cu/铁磁，及反铁磁层和覆盖层，其中铁磁可以是铁、钴、镍及其合金，反铁磁可以是铁锰，氧化镍，铱锰及铂锰。由此完成的自旋阀的巨磁电阻效应比连续生长自旋阀的性能得到明显的提高。这种改善的制备方法有助于进一步提高和改善自旋阀巨磁电阻的灵敏度。