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公开(公告)号：CN100550150C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610147249.0
申请日：2006-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体为一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。本发明不同于传统的薄膜生长过程，首先射频磁控溅射一层MgO缓冲层，然后直流磁控溅射一层TbFeCo，形成双层薄膜，材料的矫顽力明显提高。本发明可提高光磁混合存储材料矫顽力，有助于进一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向异性，从而提高材料的热稳定性。
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公开(公告)号：CN1962931A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610119293.0
申请日：2006-12-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提出一种制备TbFeCo颗粒膜的新方法。传统的TbFeCo薄膜常用作磁光以及光磁混合材料。薄膜的抗热扰动能力差。不同于传统的薄膜生长方法，本发明采用直流磁控溅射与射频磁控溅射共溅的方法，TbFeCo直流溅射，非磁性介质SiO2等射频溅射。这种制备颗粒膜的新方法改善了材料的性能，提高了材料的热稳定性。
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公开(公告)号：CN100462474C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610119293.0
申请日：2006-12-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提出一种制备TbFeCo颗粒膜的新方法。传统的TbFeCo薄膜常用作磁光以及光磁混合材料。薄膜的抗热扰动能力差。不同于传统的薄膜生长方法，本发明采用直流磁控溅射与射频磁控溅射共溅的方法，TbFeCo直流溅射，非磁性介质SiO2等射频溅射。这种制备颗粒膜的新方法改善了材料的性能，提高了材料的热稳定性。
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公开(公告)号：CN1975892A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610147249.0
申请日：2006-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体为一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。本发明不同于传统的薄膜生长过程，首先射频磁控溅射一层MgO缓冲层，然后直流磁控溅射一层TbFeCo，形成双层薄膜，材料的矫顽力明显提高。本发明可提高光磁混合存储材料矫顽力，有助于进一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向异性，从而提高材料的热稳定性。
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