公开(公告)号：CN1385865A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02111172.3

申请日：2002-03-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  袁淑娟 ,  王磊

IPC: H01F1/08 ,  H01F41/14 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明是一种用铁磁/反铁磁多层膜中垂直交换偏置产生垂直各向异性的新方法。首先用真空镀膜设备在衬底上制备缓冲层,然后在缓冲层上制备铁磁/反铁磁多层膜,最后在多层膜上覆盖一层保护层。完成制备后,在外磁场中将多层膜样品从高于反铁磁层的奈尔温度冷却到低温,其中外磁场的方向平行于膜面的法线方向,而且足够大使得铁磁层能够在垂直方向饱和磁化。用铁磁/反铁磁多层膜中的垂直交换偏置产生垂直各向异性,这对高密度垂直磁记录及磁光存储等信息技术领域具有重大的应用价值。

公开(公告)号：CN1252742C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN02111172.3

申请日：2002-03-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  袁淑娟 ,  王磊

IPC: H01F1/08 ,  H01F41/14 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明是一种用铁磁/反铁磁多层膜中垂直交换偏置产生垂直各向异性的新方法。首先用真空镀膜设备在衬底上制备缓冲层，然后在缓冲层上制备铁磁/反铁磁多层膜，最后在多层膜上覆盖一层保护层。完成制备后，在外磁场中将多层膜样品从高于反铁磁层的奈尔温度冷却到低温，其中外磁场的方向平行于膜面的法线方向，而且足够大使得铁磁层能够在垂直方向饱和磁化。用铁磁/反铁磁多层膜中的垂直交换偏置产生垂直各向异性，这对高密度垂直磁记录及磁光存储等信息技术领域具有重大的应用价值。