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公开(公告)号：CN113270407B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110539778.X
申请日：2021-05-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明提供了一种动态随机存取存储器，包括衬底、电容器、导电柱、隔离介质层和晶体管，所述电容器包括半导体深槽电容结构和介质深槽电容结构，所述半导体深槽电容结构的一部分设置于所述衬底内部，其另一部分设置于所述隔离介质层内部，所述半导体深槽电容结构与所述晶体管电接触，所述介质深槽电容结构设置于部分所述隔离介质层内部，所述介质深槽电容结构与所述半导体深槽电容结构并联，使得有利于提升动态随机存取存储器的电容值，减少电容器在所述衬底中的刻蚀深度；所述导电柱设有若干个，且所述导电柱分别与所述晶体管和所述介质深槽电容结构电接触，以形成了全局电互连结构。本发明还提供了所述动态随机存取存储器的制备工艺。
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公开(公告)号：CN113035829B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110241335.2
申请日：2021-03-04
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种TSV无源转接板，包括：硅衬底，所述硅衬底间隔设有若干通孔；隔离介质，设于所述通孔的内侧面；扩散阻挡层，位于所述通孔内，设于所述隔离介质；第一籽晶层，设于所述扩散阻挡层；导电层，设于所述第一籽晶层，将所述通孔填充；去除所述隔离介质的之间的部分所述硅衬底，使所述隔离介质两端突出于所述硅衬底。本发明通过去除所述隔离介质的之间的部分所述硅衬底，所述隔离介质两端突出于所述硅衬底，使隔离介质、扩散阻挡层、第一籽晶层和导电层形成的硅通孔结构之间出现大量间隙，有利于硅通孔结构的散热，提高了使用寿命。另外，本发明还提供了所述TSV无源转接板的制造方法。
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公开(公告)号：CN111540739B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010400579.6
申请日：2020-05-13
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种基于双隧穿晶体管的半浮栅存储器。本发明的半浮栅存储器包括：有U型槽的半导体衬底；第一栅介质层覆盖U型槽的表面；浮栅覆盖第一栅介质层，并形成中间高、两边低的凸起形状；隧穿晶体管沟道层覆盖浮栅的中间凸起上表面；第二栅介质层形成在隧穿晶体管沟道层两侧并延伸覆盖浮栅表面，控制栅覆盖第二栅介质层和所述隧穿晶体管沟道层上表面；栅极侧墙位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源区和漏区形成于半导体衬底中、位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧，源区具有第一掺杂类型，漏区具有第二掺杂类型。本发明能够有效降低半浮栅存储器的工作电压和功耗。
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公开(公告)号：CN112018096B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202010754765.X
申请日：2020-07-31
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种用于能量缓冲的纳米电容三维集成系统及其制备方法。该用于能量缓冲的纳米电容三维集成系统包括多片垂直堆叠并联的硅通孔‑纳米电容混合结构，可以极大增加电容密度和存储容量，从而在拥有较高功率密度的同时，也可以拥有较高的能量密度。
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公开(公告)号：CN112151535B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010825837.5
申请日：2020-08-17
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开一种硅基纳米电容三维集成结构及其制备方法。在硅片的正反面分别制备出纳米电容，并通过硅通孔结构并联连接，可以显著增大电容密度。同时采用硅通孔结构将两个纳米电容连接到一起，可以缩短互连线长度，从而有利于减小互连电阻和能量损耗。
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公开(公告)号：CN111769076B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010561678.2
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/306 , H01L23/48
Abstract: 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于2.5D封装的TSV转接板及其制备方法。本发明采用金属辅助化学刻蚀工艺减薄硅片，并且采用金属辅助化学刻蚀工艺形成硅通孔，该方法无需复杂的工艺设备，工艺简单，且硅通孔的深宽比易调。此外，通过在硅衬底背面形成籽晶层，而后在硅通孔内填充导电金属的方法，无需化学机械抛光去除硅通孔上表面的导电金属，从而可以进一步地缩减工艺步骤。
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公开(公告)号：CN111900127B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010626938.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/265 , H01L21/02 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了用于三维系统级封装的TSV无源转接板制备方法。采用离子注入工艺向单晶硅衬底中注入低能离子至较浅深度，然后进行高温退火在硅衬底内部形成一层硅化合物，从而硅化合物将硅衬底分为上方的顶层硅和下方的体硅。接着在顶层硅表面采用分子束外延的方法生长一定厚度的单晶硅，作为基底。本发明能够充分利用硅材料，节约成本，同时有利于实现芯片的高密度封装。
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公开(公告)号：CN111883479B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010626920.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种用于系统级封装的TSV有源转接板制备方法。采用离子注入工艺向单晶硅衬底中注入低能离子至较浅深度并进行高温退火在硅衬底内部形成一层氧化物，从而氧化物将硅衬底分为上方的顶层硅和下方的体硅；接着进行快速热退火消除顶层硅内部损伤，并采用分子束外延方法生长一定厚度的单晶硅；紧接着采用抛光的方法去除一部分表面具有起伏的顶层硅，并继续采用分子束外延的方法生长所需厚度的单晶硅；然后形成贯穿所述基底的硅通孔，湿法腐蚀去除所述硅化合物，使顶层硅与体硅分离，以顶层硅为基底制作有源转接板。本发明能够充分利用硅材料，节约成本。同时，能够获得缺陷较少，且表面平坦的单晶硅。
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公开(公告)号：CN114188326A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111525708.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11 , G11C5/02 , G11C11/412
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，晶体管单元包括沿第一方向设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险及成本，连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，第一位线和第二位线垂直于第一方向，字线、第一互连线、第二互连线、第一电源线、第二电源线平行于第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN112071935B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010920329.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L31/053 , H01L31/02 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于太阳能的三维集成系统及制备方法，所述三维集成系统包括纳米电容结构、太阳能电池、第一硅通孔结构和第二硅通孔结构，其中：所述纳米电容结构安装在所述太阳能电池底部，所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构分别设置在所述太阳能电池的顶部左右两侧，所述太阳能电池和所述纳米电容结构之间通过所述第一硅通孔结构、所述第二硅通孔结构集成在一起并电力连接，使得所述太阳能电池将产生的电能储存在所述纳米电容结构内部，且所述纳米电容结构与所述太阳能电池共用一个电极，通过收集太阳能进行发电并将电力储存在纳米电容结构之中，能够提供持续稳定的能量输出，同时系统集成度高，体积小，易于微缩。
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