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公开(公告)号：CN102282655A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823857
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102282655B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823857
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
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公开(公告)号：CN100388409C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200380103007.6
申请日：2003-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: 一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的，或环形的。在操作中，电子被Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
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公开(公告)号：CN1711621A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103007.6
申请日：2003-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: 一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的，或环形的。在操作中，电子被Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
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公开(公告)号：CN100423192C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480001378.8
申请日：2004-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： V·巴拉苏伯拉马尼姆 , 稻泽刚一郎 , R·怀斯 , A·P·马霍罗瓦拉 , S·潘达
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/09 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/768 , H01L21/308
Abstract: 一种在等离子体加工系统中，用于在基底上蚀刻有机抗反射涂料(ARC)层的方法，包括：引入包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体；由工艺过程气体生成等离子体；以及将基底曝露于等离子体下。例如，工艺过程气体可以由NH3和烃气体如C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C4H6、C4H8、C4H10、C5H8、C5H10、C6H6、C6H10和C6H12中的至少一种组成。此外，工艺化学物质可以进一步包括氦的加入。本发明还提出了一种用于生成双层掩模的方法，用于在基底上蚀刻薄膜；其中该方法包括：在基底上生成薄膜；在此薄膜上生成ARC层；在ARC层上生成光致抗蚀剂图案；使用包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体，以一种蚀刻工艺将光致抗蚀剂图案转移到ARC层上。
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公开(公告)号：CN1717778A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001378.8
申请日：2004-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： V·巴拉苏伯拉马尼姆 , 稻泽刚一郎 , R·怀斯 , A·P·马霍罗瓦拉 , S·潘达
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/09 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/768 , H01L21/308
Abstract: 一种在等离子体加工系统中，用于在基底上蚀刻有机抗反射涂料(ARC)层的方法，包括：引入包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体；由工艺过程气体生成等离子体；以及将基底曝露于等离子体下。例如，工艺过程气体可以由NH3和烃气体如C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C4H6、C4H8、C4H10、C5H8、C5H10、C6H6、C6H10和C6H12中的至少一种组成。此外，工艺化学物质可以进一步包括氦的加入。本发明还提出了一种用于生成双层掩模的方法，用于在基底上蚀刻薄膜；其中该方法包括：在基底上生成薄膜；在此薄膜上生成ARC层；在ARC层上生成光致抗蚀剂图案；使用包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体，以一种蚀刻工艺将光致抗蚀剂图案转移到ARC层上。
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