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公开(公告)号：CN102282655A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823857
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
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公开(公告)号：CN102282655B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823857
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
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公开(公告)号：CN1812101A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510117557.4
申请日：2005-11-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/28052 , H01L21/76897 , H01L29/6653 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种CMOS结构，其中栅极到漏极/源极电容被减小，同时也提供了制造这种结构的不同方法。根据本发明，发现，通过形成其中低k介质材料与栅极导体自对准的CMOS结构可以明显减小栅极到漏极/源极的电容。通过本发明的结构可以看到范围为从30％到大于40％的栅极导体和接触过孔之间的电容的减小。而且，总外部边缘电容(栅极到外部扩散区+栅极到接触过孔)减小了10－18％。本发明的CMOS结构包括至少一个栅极区，所述栅极区包括位于半导体衬底表面上的栅极导体；以及与栅极导体自对准的低k介质材料。
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公开(公告)号：CN100559591C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510117557.4
申请日：2005-11-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/28052 , H01L21/76897 , H01L29/6653 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种CMOS结构，其中栅极到漏极/源极电容被减小，同时也提供了制造这种结构的不同方法。根据本发明，发现，通过形成其中低k介质材料与栅极导体自对准的CMOS结构可以明显减小栅极到漏极/源极的电容。通过本发明的结构可以看到范围为从30%到大于40%的栅极导体和接触过孔之间的电容的减小。而且，总外部边缘电容(栅极到外部扩散区+栅极到接触过孔)减小了10-18%。本发明的CMOS结构包括至少一个栅极区，所述栅极区包括位于半导体衬底表面上的栅极导体；以及与栅极导体自对准的低k介质材料。
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公开(公告)号：CN100468785C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480033367.8
申请日：2004-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/119 , H01L21/8238 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/336 , H01L31/113
CPC classification number: H01L29/7845 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/28035 , H01L21/28167 , H01L21/28247 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L29/1083 , H01L29/4925 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659
Abstract: 一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电极(6)，在所述电极(6)中形成凹槽(12)，所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料(17)，覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料，以及接着退火所得结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1700472A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510067824.1
申请日：2005-04-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/105 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。
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公开(公告)号：CN1612326B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410069252.6
申请日：2004-07-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7845 , H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4908 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种调节半导体器件中载流子迁移率的方法和装置。在制造互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)场效应晶体管(包括nFET和pFET)时，通过使栅极材料和金属反应在晶体管栅极内产生应力合金(最好是CoSi2、NiSi、或PdSi)，提高或调节了载流子的迁移率。在nFET和pFET同时存在的情况中，各个合金的固有应力在各个晶体管的沟道上导致相反的应变。通过在nFET和pFET合金或硅化物中保持相反的应变，在单个芯片或衬底上的两类晶体管的载流子迁移率都可得到提高，从而提高CMOS器件和集成电路的性能。
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公开(公告)号：CN100383969C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510067824.1
申请日：2005-04-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/105 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。
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公开(公告)号：CN1879227A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033367.8
申请日：2004-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/119 , H01L21/8238 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/336 , H01L31/113
CPC classification number: H01L29/7845 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/28035 , H01L21/28167 , H01L21/28247 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L29/1083 , H01L29/4925 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659
Abstract: 一种制造半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(1)，在所述衬底(1)上提供电极(6)，在所述电极(6)中形成凹槽(12)，所述凹槽具有开口，在所述凹槽内设置小颗粒半导体材料(17)，覆盖所述开口以包含所述凹槽内的所述小颗粒半导体材料，以及接着退火所得结构。
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公开(公告)号：CN1612326A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410069252.6
申请日：2004-07-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7845 , H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4908 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种调节半导体器件中载流子迁移率的方法和装置。在制造互补型金属－氧化物－半导体(CMOS)场效应晶体管(包括nFET和pFET)时，通过使栅极材料和金属反应在晶体管栅极内产生应力合金(最好是CoSi2、NiSi、或PdSi)，提高或调节了载流子的迁移率。在nFET和pFET同时存在的情况中，各个合金的固有应力在各个晶体管的沟道上导致相反的应变。通过在nFET和pFET合金或硅化物中保持相反的应变，在单个芯片或衬底上的两类晶体管的载流子迁移率都可得到提高，从而提高CMOS器件和集成电路的性能。
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