公开(公告)号：CN109478534A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780041377.3

申请日：2017-07-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·恩古源 ,  山下典洪 ,  程慷果 ,  T·J·小黑格 ,  朴灿鲁 ,  E·利宁格 ,  李俊涛 ,  S·梅赫塔

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了具有形成为半导体器件的BEOL或MOL层的一部分的气隙隔离物的半导体器件，以及制造这种气隙隔离物的方法。例如，一种方法包括在基板上形成第一金属结构和第二金属结构，其中第一和第二金属结构彼此相邻设置，在第一和第二金属结构之间设置绝缘材料。蚀刻绝缘材料以在第一和第二金属结构之间形成空间。使用夹断沉积工艺在第一和第二金属结构上沉积一层介电材料，以在第一和第二金属结构之间的空间中形成气隙，其中气隙的一部分在第一金属结构和第二金属结构中的至少一个的上表面上方延伸。

公开(公告)号：CN103199080B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310000706.3

申请日：2013-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·阮 ,  G·博尼拉 ,  A·格里尔 ,  T·J·小黑格 ,  S·V·妮塔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249969 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电介质堆叠和使用单步骤沉积工艺向衬底沉积堆叠的方法。该电介质堆叠包括具有不同组成原子百分比、密度和多孔度的相同元素化合物的密致层和多孔层。该堆叠增强机械模量强度并且增强氧化和铜扩散阻挡属性。电介质堆叠具有遍布网络的无机或混合的无机-有机随机三维共价键，该网络包含不同化学组成的不同区域，诸如与具有相同类型材料但是具有较高多孔度的低k组件相邻的帽组件。

公开(公告)号：CN101958311A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010227409.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·A·科恩 ,  A·格里尔 ,  T·J·小黑格 ,  刘小虎 ,  S·V·源 ,  T·M·肖 ,  H·肖芭

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体结构和形成方法。提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。

公开(公告)号：CN103199080A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310000706.3

申请日：2013-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·阮 ,  G·博尼拉 ,  A·格里尔 ,  T·J·小黑格 ,  S·V·妮塔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249969 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电介质堆叠和使用单步骤沉积工艺向衬底沉积堆叠的方法。该电介质堆叠包括具有不同组成原子百分比、密度和多孔度的相同元素化合物的密致层和多孔层。该堆叠增强机械模量强度并且增强氧化和铜扩散阻挡属性。电介质堆叠具有遍布网络的无机或混合的无机-有机随机三维共价键，该网络包含不同化学组成的不同区域，诸如与具有相同类型材料但是具有较高多孔度的低k组件相邻的帽组件。

公开(公告)号：CN101958311B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010227409.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·A·科恩 ,  A·格里尔 ,  T·J·小黑格 ,  刘小虎 ,  S·V·源 ,  T·M·肖 ,  H·肖芭

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体结构和形成方法。提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。