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发明公开
纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造有权转让

公开(公告)号：CN109478534A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780041377.3

申请日：2017-07-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·恩古源 , 山下典洪 , 程慷果 , T·J·小黑格 , 朴灿鲁 , E·利宁格 , 李俊涛 , S·梅赫塔

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了具有形成为半导体器件的BEOL或MOL层的一部分的气隙隔离物的半导体器件，以及制造这种气隙隔离物的方法。例如，一种方法包括在基板上形成第一金属结构和第二金属结构，其中第一和第二金属结构彼此相邻设置，在第一和第二金属结构之间设置绝缘材料。蚀刻绝缘材料以在第一和第二金属结构之间形成空间。使用夹断沉积工艺在第一和第二金属结构上沉积一层介电材料，以在第一和第二金属结构之间的空间中形成气隙，其中气隙的一部分在第一金属结构和第二金属结构中的至少一个的上表面上方延伸。

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