公开(公告)号：CN1700472A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510067824.1

申请日：2005-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·别良斯基 ,  J·C·刘 ,  万幸仁 ,  R·S·怀斯 ,  阎红雯

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。

公开(公告)号：CN1638049A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510004134.1

申请日：2005-01-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 顾伯聪 ,  安·斯蒂根 ,  万幸仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的单金属或双金属替代栅极结构的方法；所述结构包括与栅极区域接触的硅化物触点。去除假栅极结构和牺牲栅极电介质，露出所述衬底的一部分；在上面形成栅极电介质。形成覆盖所述栅极电介质和所述电介质材料的金属层。该金属层可以方便地是覆盖器件晶片的覆盖金属层。然后形成覆盖所述金属层的硅层；该层也可以是覆盖晶片。然后进行平坦化或深腐蚀工艺，而使所述电介质材料的顶面暴露，而所述金属层和所述硅层的其他部分保留在栅极区域，且具有与所述电介质材料的顶面共面的表面。然后形成接触栅极区域的金属层的硅化物触点。

公开(公告)号：CN100490079C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510004134.1

申请日：2005-01-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 顾伯聪 ,  安·斯蒂根 ,  万幸仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的单金属或双金属替代栅极结构的方法；所述结构包括与栅极区域接触的硅化物触点。去除假栅极结构和牺牲栅极电介质，露出所述衬底的一部分；在上面形成栅极电介质。形成覆盖所述栅极电介质和所述电介质材料的金属层。该金属层可以方便地是覆盖器件晶片的覆盖金属层。然后形成覆盖所述金属层的硅层；该层也可以是覆盖晶片。然后进行平坦化或深腐蚀工艺，而使所述电介质材料的顶面暴露，而所述金属层和所述硅层的其他部分保留在栅极区域，且具有与所述电介质材料的顶面共面的表面。然后形成接触栅极区域的金属层的硅化物触点。

公开(公告)号：CN100383969C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200510067824.1

申请日：2005-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·别良斯基 ,  J·C·刘 ,  万幸仁 ,  R·S·怀斯 ,  阎红雯

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。

公开(公告)号：CN100385626C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510004136.0

申请日：2005-01-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 顾伯聪 ,  安·斯蒂根 ,  万幸仁 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种方法，其用于为半导体器件制造栅极结构，该半导体器件中的栅极结构具有内隔离器。置换栅极工艺被使用，其中材料从栅极区域被除去以便暴露部分衬底；栅极介电体形成于所述衬底的暴露部分；内隔离器层形成于栅极介电体和栅极介电材料上。然后形成硅层，其在内隔离器层上。该结构然后被平面化以便部分衬底层和内隔离器层保留在该栅极区域。然后由硅形成硅化物栅极结构；硅化物栅极结构和围绕该栅极的介电材料由内隔离器层分开。半导体器件可包括第一栅极区域和第二栅极区域，其间有界面，且内隔离器层掩盖该界面。当器件具有两个栅极区域时，工艺可用在两个栅极区域，以便产生分开的硅化物结构，且内隔离器将这两个结构分开。

公开(公告)号：CN1638050A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510004136.0

申请日：2005-01-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 顾伯聪 ,  安·斯蒂根 ,  万幸仁 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种方法，其用于为半导体器件制造栅极结构，该半导体器件中的栅极结构具有内隔离器。置换栅极工艺被使用，其中材料从栅极区域被除去以便暴露部分衬底；栅极介电体形成于所述衬底的暴露部分；内隔离器层形成于栅极介电体和栅极介电材料上。然后形成硅层，其在内隔离器层上。该结构然后被平面化以便部分衬底层和内隔离器层保留在该栅极区域。然后由硅形成硅化物栅极结构；硅化物栅极结构和围绕该栅极的介电材料由内隔离器层分开。半导体器件可包括第一栅极区域和第二栅极区域，其间有界面，且内隔离器层掩盖该界面。当器件具有两个栅极区域时，工艺可用在两个栅极区域，以便产生分开的硅化物结构，且内隔离器将这两个结构分开。