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公开(公告)号：CN102484169A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039984.4
申请日：2010-08-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0336
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及一种在退火工艺期间降低光生伏打薄膜结构的元素损失的方法，包括：在衬底上沉积薄膜，其中薄膜包括单一化学元素或化合物；使用保护层涂覆薄膜以形成经涂覆的薄膜结构，其中保护层防止单一化学元素的一部分或化合物的一部分在退火工艺期间逸出；以及将经涂覆的薄膜结构退火以形成经涂覆的光生伏打薄膜结构，其中经涂覆的光生伏打薄膜保留有在退火期间由保护层防止逸出的单一化学元素的一部分或化合物的一部分。
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公开(公告)号：CN103515458A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310260001.5
申请日：2013-06-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18
Abstract: 在包括p-n结的半导体衬底的前表面上形成第一防反射涂层(ARC)层和钛层的堆叠，并且随后图案化该堆叠，从而在半导体衬底的前表面的金属接触区域中物理地暴露半导体表面。通过氧化将钛层的其余部分转换成二氧化钛层。在金属接触区域上镀制金属层，并且随后在金属层或者从金属层获得的金属半导体合金上镀制铜线。在二氧化钛层和铜线上沉积第二ARC层，并且随后图案化第二ARC层以提供与铜线的电接触。
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公开(公告)号：CN102484169B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080039984.4
申请日：2010-08-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0336
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及一种在退火工艺期间降低光生伏打薄膜结构的元素损失的方法，包括：在衬底上沉积薄膜，其中薄膜包括单一化学元素或化合物；使用保护层涂覆薄膜以形成经涂覆的薄膜结构，其中保护层防止单一化学元素的一部分或化合物的一部分在退火工艺期间逸出；以及将经涂覆的薄膜结构退火以形成经涂覆的光生伏打薄膜结构，其中经涂覆的光生伏打薄膜保留有在退火期间由保护层防止逸出的单一化学元素的一部分或化合物的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103515458B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310260001.5
申请日：2013-06-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在包括p-n结的半导体衬底的前表面上形成第一防反射涂层(ARC)层和钛层的堆叠，并且随后图案化该堆叠，从而在半导体衬底的前表面的金属接触区域中物理地暴露半导体表面。通过氧化将钛层的其余部分转换成二氧化钛层。在金属接触区域上镀制金属层，并且随后在金属层或者从金属层获得的金属半导体合金上镀制铜线。在二氧化钛层和铜线上沉积第二ARC层，并且随后图案化第二ARC层以提供与铜线的电接触。
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公开(公告)号：CN103518264A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280022399.2
申请日：2012-03-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/18 , E04H4/00 , H01L31/022433 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T29/49002 , Y10T29/49826
Abstract: 本公开涉及用于光伏电池中的接触栅格以及制造包括这些接触栅格的光伏电池的方法，其中接触栅格指状物的横截面的形状为梯形。本公开的接触栅格是成本有效的，并且由于它们是厚金属栅格而呈现最小的电阻。尽管具有厚的金属栅格，但是本公开的接触栅格指状物的独特形状允许它们被用于的光伏电池与传统太阳能电池相比保留更多的太阳能，这是通过将入射的太阳能反射回到太阳能电池的表面上而不是将入射的太阳能反射离开电池而实现的。
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公开(公告)号：CN103778955B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310484751.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H01L23/576 , G06F21/86 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。
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公开(公告)号：CN103518264B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280022399.2
申请日：2012-03-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/18 , E04H4/00 , H01L31/022433 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T29/49002 , Y10T29/49826
Abstract: 本公开涉及用于光伏电池中的接触栅格以及制造包括这些接触栅格的光伏电池的方法，其中接触栅格指状物的横截面的形状为梯形。本公开的接触栅格是成本有效的，并且由于它们是厚金属栅格而呈现最小的电阻。尽管具有厚的金属栅格，但是本公开的接触栅格指状物的独特形状允许它们被用于的光伏电池与传统太阳能电池相比保留更多的太阳能，这是通过将入射的太阳能反射回到太阳能电池的表面上而不是将入射的太阳能反射离开电池而实现的。
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公开(公告)号：CN103778955A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310484751.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H01L23/576 , G06F21/86 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。
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