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公开(公告)号：CN103579025B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310304714.7
申请日：2013-07-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L23/3192 , H01L23/522 , H01L23/5329 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13021 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了集成电路倒装芯片组件的制造方法及由该方法制造的组件，具体公开了一种在可控塌陷芯片连接(C4)下减少白凸块形成和电介质开裂的方法。该方法包括制造具有多个金属化层的基板，这些层中的一个或多个具有低k电介质材料。基板包括多个用于C4的附着焊垫。所述制造包括在基板的位于至少一些附着焊垫下方的部分中，用金属填充选择性地形成基板的至少一部分，该金属填充的杨氏弹性模量比低k电介质材料的一个或多个层中的任一个都高。
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公开(公告)号：CN103579025A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310304714.7
申请日：2013-07-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L23/3192 , H01L23/522 , H01L23/5329 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13021 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了集成电路倒装芯片组件的制造方法及由该方法制造的组件，具体公开了一种在可控塌陷芯片连接(C4)下减少白凸块形成和电介质开裂的方法。该方法包括制造具有多个金属化层的基板，这些层中的一个或多个具有低k电介质材料。基板包括多个用于C4的附着焊垫。所述制造包括在基板的位于至少一些附着焊垫下方的部分中，用金属填充选择性地形成基板的至少一部分，该金属填充的杨氏弹性模量比低k电介质材料的一个或多个层中的任一个都高。
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公开(公告)号：CN102428563B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980159306.9
申请日：2009-05-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于集成电路装置的熔丝结构，包括延长的金属互连层(106)，限定在绝缘层中；金属盖层(108)，仅形成在该金属互连层的上表面的一部分上；以及电介质盖层(112)，形成在金属盖层(108)和该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分上；其中，该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感，从而便于通过经该延长的金属互连层(106)施加电流而对该熔丝结构进行编程。
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公开(公告)号：CN102428563A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200980159306.9
申请日：2009-05-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于集成电路装置的熔丝结构，包括延长的金属互连层(106)，限定在绝缘层中；金属盖层(108)，仅形成在该金属互连层的上表面的一部分上；以及电介质盖层(112)，形成在金属盖层(108)和该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分上；其中，该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感，从而便于通过经该延长的金属互连层(106)施加电流而对该熔丝结构进行编程。
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