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公开(公告)号:CN105810668A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201610161586.9
申请日:2012-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种具有堆叠的通道(122,132)的后段制程(BOEL)熔丝结构。通道(122,132)堆叠导致高深宽比,而使得通道内的衬里和种子覆盖更差。衬里(124)和种子层的弱化导致电迁移(EM)失效的较高概率。该熔丝结构解决了因差的衬里和种子覆盖引起的失效。设计特征允许确定失效发生在何处、确定在熔丝编程后受损害区域的程度,并防止受损害电介质区域的进一步蔓延。
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公开(公告)号:CN102428563B
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN200980159306.9
申请日:2009-05-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于集成电路装置的熔丝结构,包括延长的金属互连层(106),限定在绝缘层中;金属盖层(108),仅形成在该金属互连层的上表面的一部分上;以及电介质盖层(112),形成在金属盖层(108)和该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分上;其中,该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感,从而便于通过经该延长的金属互连层(106)施加电流而对该熔丝结构进行编程。
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公开(公告)号:CN103460380B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201280016328.1
申请日:2012-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种具有堆叠的通道(122,132)的后段制程(BOEL)熔丝结构。通道(122,132)堆叠导致高深宽比,而使得通道内的衬里和种子覆盖更差。衬里(124)和种子层的弱化导致电迁移(EM)失效的较高概率。该熔丝结构解决了因差的衬里和种子覆盖引起的失效。设计特征允许确定失效发生在何处、确定在熔丝编程后受损害区域的程度,并防止受损害电介质区域的进一步蔓延。
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公开(公告)号:CN105810668B
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201610161586.9
申请日:2012-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种具有堆叠的通道(122,132)的后段制程(BOEL)熔丝结构。通道(122,132)堆叠导致高深宽比,而使得通道内的衬里和种子覆盖更差。衬里(124)和种子层的弱化导致电迁移(EM)失效的较高概率。该熔丝结构解决了因差的衬里和种子覆盖引起的失效。设计特征允许确定失效发生在何处、确定在熔丝编程后受损害区域的程度,并防止受损害电介质区域的进一步蔓延。
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公开(公告)号:CN103460380A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201280016328.1
申请日:2012-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种具有堆叠的通道(122,132)的后段制程(BOEL)熔丝结构。通道(122,132)堆叠导致高深宽比,而使得通道内的衬里和种子覆盖更差。衬里(124)和种子层的弱化导致电迁移(EM)失效的较高概率。该熔丝结构解决了因差的衬里和种子覆盖引起的失效。设计特征允许确定失效发生在何处、确定在熔丝编程后受损害区域的程度,并防止受损害电介质区域的进一步蔓延。
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公开(公告)号:CN102428563A
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN200980159306.9
申请日:2009-05-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于集成电路装置的熔丝结构,包括延长的金属互连层(106),限定在绝缘层中;金属盖层(108),仅形成在该金属互连层的上表面的一部分上;以及电介质盖层(112),形成在金属盖层(108)和该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分上;其中,该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感,从而便于通过经该延长的金属互连层(106)施加电流而对该熔丝结构进行编程。
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