公开(公告)号：CN102428563A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200980159306.9

申请日：2009-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.菲利皮 ,  T.E.斯坦德尔特 ,  S.格鲁诺 ,  S.桑卡兰 ,  K.钱达 ,  J.P.甘比诺 ,  A.H.西蒙 ,  胡朝坤 ,  G.博尼拉

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于集成电路装置的熔丝结构，包括延长的金属互连层(106)，限定在绝缘层中；金属盖层(108)，仅形成在该金属互连层的上表面的一部分上；以及电介质盖层(112)，形成在金属盖层(108)和该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分上；其中，该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感，从而便于通过经该延长的金属互连层(106)施加电流而对该熔丝结构进行编程。

公开(公告)号：CN102428563B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980159306.9

申请日：2009-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.菲利皮 ,  T.E.斯坦德尔特 ,  S.格鲁诺 ,  S.桑卡兰 ,  K.钱达 ,  J.P.甘比诺 ,  A.H.西蒙 ,  胡朝坤 ,  G.博尼拉

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于集成电路装置的熔丝结构，包括延长的金属互连层(106)，限定在绝缘层中；金属盖层(108)，仅形成在该金属互连层的上表面的一部分上；以及电介质盖层(112)，形成在金属盖层(108)和该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分上；其中，该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感，从而便于通过经该延长的金属互连层(106)施加电流而对该熔丝结构进行编程。