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公开(公告)号：CN101573779A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200780049067.2
申请日：2007-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/76283 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/7045 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01J37/3174 , H01L21/3081 , H01L21/823481 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标，并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标，并使用光学光刻来形成第二组特征，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN101573779B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200780049067.2
申请日：2007-12-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/76283 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/7045 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01J37/3174 , H01L21/3081 , H01L21/823481 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标，并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标，并使用光学光刻来形成第二组特征，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN1320641C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN02830043.2
申请日：2002-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明提供了一些方法，用于形成用于第一结构(24、124)如FinFET的栅极结构的隔离层(44)，并在第二结构(14)如鳍片的至多一部分上形成隔离层而不会有害地改变第二结构。该方法产生具有悬垂于导电下部分(32、132)之上的顶部分(30、130)的第一结构(24)，和悬垂物(40、140)之下的隔离层(44)。可以在隔离层工艺之后除去悬垂物(40、140)。对于FinFET，悬垂物保护鳍片(14)的部分如邻近并在栅极结构(24、124)之下的区域，并允许将鳍片(14)的侧壁暴露于如选择性硅生长和注入的其它工艺。结果，该方法提供鳍片(14)的按尺寸制造和栅极结构(24、124)和隔离层的形成而在隔离层工艺期间不会有害地改变(例如，侵蚀或在其上形成隔离层)鳍片(14)。同样公开了包括栅极结构(24、124)和隔离层(44)的FinFET(100)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1714441A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN02830043.2
申请日：2002-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/26586 , H01L21/823437 , H01L29/42384 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供了一些方法，用于形成用于第一结构(24、124)如FinFET的栅极结构的隔离层(44)，并在第二结构(14)如鳍片的至多一部分上形成隔离层而不会有害地改变第二结构。该方法产生具有悬垂于导电下部分(32、132)之上的顶部分(30、130)的第一结构(24)，和悬垂物(40、140)之下的隔离层(44)。可以在隔离层工艺之后除去悬垂物(40、140)。对于FinFET，悬垂物保护鳍片(14)的部分如邻近并在栅极结构(24、124)之下的区域，并允许将鳍片(14)的侧壁暴露于如选择性硅生长和注入的其它工艺。结果，该方法提供鳍片(14)的按尺寸制造和栅极结构(24、124)和隔离层的形成而在隔离层工艺期间不会有害地改变(例如，侵蚀或在其上形成隔离层)鳍片(14)。同样公开了包括栅极结构(24、124)和隔离层(44)的FinFET(100)。
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公开(公告)号：CN100483734C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480024967.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/76 , H01L21/00 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823821 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , Y10S438/947
Abstract: 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。
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公开(公告)号：CN101114650A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710103838.3
申请日：2007-05-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/458 , H01L21/76829 , H01L21/76897 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了具有部分自对准的接触的半导体结构的实施例，其中所述接触的下部被增大以减小电阻而不影响器件产量。此外，所述结构可选地包括厚的中间制程(MOL)氮化物应力层以增大载流子迁移率。形成所述结构的方法的实施例包括在所述接触的希望的位置中形成牺牲部分。构图该部分，以便其自对准所述栅电极，并仅占据希望用于未来的接触的空间。一旦牺牲部分在其适当的位置，可以淀积介电层(例如可选的应力层，其后为层间电介质)。将常规接触光刻用于穿过介电层使接触孔蚀刻至所述牺牲部分。然后选择性地去除所述牺牲部分以形成空腔，并在所述空腔和接触孔中形成所述接触。
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公开(公告)号：CN100550385C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710103838.3
申请日：2007-05-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/458 , H01L21/76829 , H01L21/76897 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了具有部分自对准的接触的半导体结构的实施例，其中所述接触的下部被增大以减小电阻而不影响器件产量。此外，所述结构可选地包括厚的中间制程(MOL)氮化物应力层以增大载流子迁移率。形成所述结构的方法的实施例包括在所述接触的希望的位置中形成牺牲部分。构图该部分，以便其自对准所述栅电极，并仅占据希望用于未来的接触的空间。一旦牺牲部分在其适当的位置，可以淀积介电层(例如可选的应力层，其后为层间电介质)。将常规接触光刻用于穿过介电层使接触孔蚀刻至所述牺牲部分。然后选择性地去除所述牺牲部分以形成空腔，并在所述空腔和接触孔中形成所述接触。
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公开(公告)号：CN1846309A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024967.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/76 , H01L21/00 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823821 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , Y10S438/947
Abstract: 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。
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