公开(公告)号：CN101573779B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200780049067.2

申请日：2007-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·M·弗里德 ,  J·M·赫根勒特尔 ,  S·J·麦克纳布 ,  M·J·鲁克斯 ,  A·托波尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/76283 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/7045 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  H01J37/3174 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标，并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标，并使用光学光刻来形成第二组特征，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN101573779A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780049067.2

申请日：2007-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·M·弗里德 ,  J·M·赫根勒特尔 ,  S·J·麦克纳布 ,  M·J·鲁克斯 ,  A·托波尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/76283 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/7045 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  H01J37/3174 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标，并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标，并使用光学光刻来形成第二组特征，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。